참고문헌
- S. R. Ovshinsky, Phys. Rev. Lett., 20, 1450 (1968).
- A. Hamada, M. Saito, and M. Kikuchi, Jpn. J. Appl. Phys., 1, 530 (1971).
- T. Matsushita, T. Yamagami, and M. Okuda, Jpn. J. Appl. Phys., 11, 422 (1972). https://doi.org/10.1143/JJAP.11.422
- R. Barton, C. R. Davis, K. Rubin, and G, Lim, Appl. Phys. Lett., 48, 1255 (1986). https://doi.org/10.1063/1.97031
- S. H. Lee, Y. N. Hwang, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, S. J. Ahn, H. C. Koa, C. W. leong, Y. T. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim, VLSI Symp. Tech. Dig., 20 (2004).
- S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, S. H. Lee, S. Y. Lee, J. H. Park, C. W. Jeong, K. C. Ryoo, J. M. Shin, Y. Fai, J. H. Oh, G. H. Koh, G. T. Jeong, S. H. Joo, S. H. Choi, Y. H. Son, J. C. Shin, Y. T. Kim, H. S. Jeong, and K. Kim, VLSI Symp. Tech. Dig., 98 (2005).
- R. Bez and A. Pirovano, Mater. Sci. Semicond. Process., 7, 349 (2004). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.127
- T. Lee, K. B. Kim, B. K. Cheong, T. S. Lee, S. J. Park, K. S. Lee, W. M. Kim, and S. G. Kim, Appl. Phys. Lett., 80, 3313 (2002). https://doi.org/10.1063/1.1476705
- D. Lencer, M. Salinga, B. Grabowski, T. Hickel, J. Neugebauer, and M. Wuttig, Nat. Mater., 7, 972 (2008). https://doi.org/10.1038/nmat2330
- V. Sousa, Microelectron. Eng., 88, 807 (2011). https://doi.org/10.1016/j.mee.2010.06.042
- M. S. Youm, Y. T. Kim, and M. Y. Sung, Microelectron. J., 38, 1034 (2007). https://doi.org/10.1016/j.mejo.2007.07.120
- N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira, and M. Takao, J. Appl. Phys., 69, 2849 (1991). https://doi.org/10.1063/1.348620
- L. Perniola, V. Sousa, A. Fantini, E. Arbaoui, A. Bastard, M. Armand, A. Fargeis, C. Jahan, J. F. Nodin, A. Persico, D. Blachier, A. Toffoli, S. Loubriat, E. Gourvest, G. B. Beneventi, H. Feldis, S. Maitrejean, S. Lhostis, A. Roule, O. Cueto, G. Reimbold, L. Poupinet, T. Billon, B. D. Salvo, D. Bensahel, P. Mazoyer, R. Annunziata, P. Zuliani, and F. Boulanger, IEEE Electron Dev. Lett., 31, 488 (2010). https://doi.org/10.1109/LED.2010.2044136
- K. Wang, D. Wamwangi, S. Ziegler, C. Steimer, and M. Wuttig, J. Appl. Phys., 96, 5557 (2004). https://doi.org/10.1063/1.1803612
- H. B. Chung, K. Shin, and J. M. Lee, J. Vac. Sci. Tech., A25, 48 (2007).
- J. M. Lee, K. Shin, C. H. Yeo, and H. B. Chung, Jpn. J. Appl. Phys., 45, 5467 (2006). https://doi.org/10.1143/JJAP.45.5467
- B. Liu, Z. Song, S. Feng, and B. Chen, Microelectron. Eng., 82, 168 (2005). https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.07.007
- E. B. Lee, B. K. Ju, and Y. T. Kim, Microelectron. Eng., 86, 1950 (2009). https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.089
- B. J. Madhu, H. S. Jayanna, and S. Asokan, J. Non-Cry. Sol., 355, 2630 (2009). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2009.09.009