References
- J. W. Yun, K. A. Cho, B. J. Park, B. H. Park, and S. S. Kim, J. Mater. Chem., 19, 2082 (2009). https://doi.org/10.1039/b817062b
- E. Fortunato, A. Gonçalves, A. Pimentel, P. Barquinha, G. Gonçalves, L Pereira, and I. Ferreira, Appl. Phys., A96, 197 (2009).
- S. H. Lee, H. J. Kim, D. J. Yun, S. W. Rhee, and K. J. Yong, Appl. Phys. Lett., 95, 262113 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3280864
- L. M. Kukreja, A. K. Das, and P. Misra, Bull. Mater. Sci., 32, 247 (2009). https://doi.org/10.1007/s12034-009-0037-5
- K. Nagashima, T. Yanagida, K. Oka, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett., 94, 242902 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3156863
- P. Misra, A. K. Das, and L. M. Kukreja, Phys. Status Solidi., C7, 1718 (2010).
- J. W. Seo, J. W. Park, K. S. Lim, J. H. Yang, and S. J. Kang, Appl. Phys. Lett., 93, 223505 (2008). https://doi.org/10.1063/1.3041643
- M. Y. Chan, T. Zhang, V. Ho, and P. S. Lee, Microelectron. Eng., 85, 2420 (2008). https://doi.org/10.1016/j.mee.2008.09.021
- C. Walczyk, C. Wenger, R. Sohal, M. Lukosius, A. Fox, J. Dabrowski, D. Wolansky, B. Tillack, H. J. Mussig, and T. Schroeder J. Appl. Phys., 105, 114103 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3139282
- S. H Lee, W. G. Kim, S. W. Rhee, and K. J. Yong, J. Electrochem. Soc., 155, 92 (2008).
- P . Gonon, M . M ougenot, C . V allée, C . Jorel, V . Jousseaume, H. Grampeix, and F. E. Kamel, J. Appl. Phys., 107, 074507 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3357283
- Y. Wang, Q. Liu, S. Long, W. Wang, Q. Wang, M. Zhang, S. Zhang, Y. Li, Q. Zuo, J. Yang, and M. Liu, Nanotechnology, 21, 045202 (2010). https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/4/045202
- K. R. Kim, I. S. Park, J. P. Hong, S. S. LEE, B. L. Choi, and J. H. Ahn, J. Korean Phys. Soc., 49, 548 (2006).
- R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater., 21, 2632 (2009). https://doi.org/10.1002/adma.200900375