References
- J. Kido, K. Hongawa, K. Okuyama, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 64, 815 (1994) [DOI: 10.1063/1.111023].
- B. W. D'Andrade and S. R. Forrest, Adv. Mater. 16, 1585 (2004) [DOI: 10.1002/adma.200400684].
- V. Maiorano, E. Perrone, S. Carallo, A. Biasco, P. P. Pompa, R. Cingolani, A. Croce, R. I. R. Blyth, and J. Thompson, Synth. Met. 151, 147 (2005) [DOI: 10.1016/j.synthmet.2005.03.022].
- T. R. Hebner, C. C. Wu, D. Marcy, M. H. Lu, and J. C. Sturm, Appl. Phys. Lett. 72, 519 (1998) [DOI: 10.1063/1.120807].
- J. Kido, H. Shionoya, and K. Nagai, Appl. Phys. Lett. 67, 2281 (1995) [DOI: 10.1063/1.115126].
- Y. Kawamura, S. Yanagida, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 92, 87 (2002) [DOI: 10.1063/1.1479751].
- J. Pina, J. Seixas de Melo, H. D. Burrows, A. P. Monkman, and S. Navaratnam, Chem. Phys. Lett. 400, 441 (2004) [DOI: 10.1016/j.cplett.2004.11.013].
- G. T. Lei, L. D. Wang, L. Duan, J. H. Wang, and Y. Qiu, Synth. Met. 144, 249 (2004) [DOI: 10.1016/j.synthmet.2004.03.010].
- M. A. Baldo, D. F. O'Brien, Y. You, A. Shoustikov, S. Sibley, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Nature 395, 151 (1998) [DOI: 10.1038/25954].
- B. W. D'Andrade, R. J. Holmes, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 16, 624 (2004) [DOI: 10.1002/adma.200306670].
- H. B. Wu, J. H. Zou, F. Liu, L. Wang, A. Mikhailovsky, G. C. Bazan, W. Yang, and Y. Cao, Adv. Mater. 20, 696 (2008) [DOI: 10.1002/adma.200701329].
- K. Saito, N. Matsusue, H. Kanno, Y. Hamada, H. Takahashi, and T. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 2733 (2004) [DOI: 10.1143/JJAP.43.2733].
- M. A. Baldo, S. Lamansky, P. E. Burrows, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 75, 4 (1999) [DOI: 10.1063/1.124258].
- C. Adachi, R. C. Kwong, P. Djurovich, V. Adamovich, M. A. Baldo, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 79, 2082 (2001) [DOI: 10.1063/1.1400076].
- A. Endo and C. Adachi, Chem. Phys. Lett. 483, 224 (2009) [DOI: 10.1016/j.cplett.2009.10.064].
- T. Tsuzuki and S. Tokito, Adv. Mater. 19, 276 (2007) [DOI: 10.1002/adma.200600845].
- Y. S. Seo and D. G. Moon, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 305101 (2010) [DOI: 10.1088/0022-3727/43/30/305101].
- H. Murata, C. D. Merritt, and Z. H. Kafafi, IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 4, 119 (1998) [DOI: 10.1109/2944.669481].
- J. H. Jou, S. M. Shen, S. H. Chen, M. H. Wu, W. B. Wang, H. C. Wang, C. R. Lin, Y. C. Chou, P. H. Wu, and J. J. Shyue, Appl. Phys. Lett. 96, 143306 (2010) [DOI: 10.1063/1.3374326].
- Y. Xu, J. Peng, J. Jiang, W. Xu, W. Yang, and Y. Cao, Appl. Phys. Lett. 87, 193502 (2005) [DOI: 10.1063/1.2119407].
- V. Bulovic, A. Shoustikov, M. A. Baldo, E. Bose, V. G. Kozlov, M. E. Thompson, and S. R. Forrest, Chem. Phys. Lett. 287, 455 (1998) [DOI: 10.1016/s0009-2614(98)00168-7].
- S. Y. Kim, W. S. Jeon, T. J. Park, R. Pode, J. Jang, and J. H. Kwon, Appl. Phys. Lett. 94, 133303 (2009) [DOI: 10.1063/1.3114378].
Cited by
- Etch characteristics of TiN/Al2O3 thin film by using a Cl2/Ar adaptive coupled plasma vol.86, pp.4, 2011, https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2011.08.006