References
- K. R. Han and J. H. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 47, 2687 (2008). https://doi.org/10.1143/JJAP.47.2687
- J. S. Lee, J. Y. Yang, and J. P. Hong, Appl. Phys. lett., 95, 052109 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3202412
- B. J. Park, K. A. Cho, and S. S. Kim, J. Nanotechnology, 9, 3 (2009).
- J. S. Lee, J. Y. Yang, and J. P. Hong, Appl. Phys. Lett., 95, 052109 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3202412
- K. I. Han, Y. M. Park, S. Kim, S. H. Choi, K. J. Kim, I. H. Park, and B. G. Park, IEEE Trans. Electron Devices, 54, 359 (2007). https://doi.org/10.1109/TED.2006.888674
- G. Molas, G. Bocquet, M. Jalaguier, E. Gely, M. Masarotto, L. Colonna, J. P. Grampeix, H. Martin, F. Brianceau, P. Vidal, V. Kies, R. Yckache, K. De Salvo, B. Ghibaudo, G. Baron, T. Bongiorno, and C. Lombardo (IEEE International Memory Workshop, Monterey, 2009) p. 1.