The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science (한국전자파학회논문지)

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Design of Multi-Band Low Noise Amplifier Using Switching Transistors for 2.4/3.5/5.2 GHz Band

스위칭 트랜지스터를 이용하여 2.4/3.5/5.2 GHz에서 동작하는 다중 대역 저잡음 증폭기 설계

  • Ahn, Young-Bin (Department of Computer and Radio Communication Engineering, Korea University) ;
  • Jeong, Ji-Chai (Department of Brain and Cognitive Engineering, Korea University)
  • 안영빈 (고려대학교 전파통신공학과) ;
  • 정지채 (고려대학교 뇌공학과)
  • Published : 2011.02.28
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Abstract

This paper presents a multi-band low noise amplifier(LNA) with switching operation for 2.4, 3.5 and 5.2 GHz bands using CMOS 0.18 um technology. The proposed circuit uses switching transistors to achieve the input and output matching for multi-band. By using the switching transistors, we can adjust the transconductance, gate inductance and gatesource capacitance at input stage and total output capacitance at output stage. The proposed LNA exhibits gain of 14.2, 12 and 11 dB and noise figure(NF) of 3, 2.9 and 2.8 dB for 2.4, 3.5 and 5.2 GHz, respectively.

본 논문에서는 2.4, 3.5, 5.2 GHz의 대역에 맞추어 스위칭 동작을 하는 다중 대역 저잡음 증폭기를 CMOS 0.18 um 공정을 이용하여 설계하였다. 제안된 회로는 스위칭 트랜지스터를 이용하여 입력단에서는 트랜스 컨덕턴스, 게이트-소스 캐패시턴스를 조정하고, 출력단에서는 캐패시턴스를 조정하는 방식으로 다중 대역 입출력 정합을 이루었다. 제안된 저잡음 증폭기는 각 스위칭 트랜지스터의 동작 상태에 따라 2.4, 3.5, 5.2 GHz 대역에서 제안된 회로는 입출력단에서 각각 14.2, 12, 11 dB의 이득과 3, 2.9, 2.8의 잡음 지수 특성을 갖는다. 다중 대역 저잡음 증폭기는 1.8 V의 공급 전압에 대해서 4.2~5.4 mW의 전력을 소비한다.

Keywords

References

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