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An Efficient Log Buffer Management Scheme of Flash Memory Through Delay of Merging Hot Data Blocks

HOT 데이터 블록 병합 지연을 이용한 효율적인 플래시 메모리 로그 버퍼 관리 기법

  • 김학철 (충북대학교 정보통신공학과) ;
  • 박용훈 (충북대학교 정보통신공학과) ;
  • 윤종현 (한국전자통신연구원 지식e러닝연구팀) ;
  • 서동민 (한국과학기술원 전자계산학과) ;
  • 송석일 (충주대학교 컴퓨터공학과) ;
  • 유재수 (충북대학교 정보통신공학과)
  • Published : 2010.01.28

Abstract

In this paper, we propose a new log buffer management scheme considering the accessibility of the data. Our proposed scheme evaluates the worth of the merge of log blocks. It conducts the merge operations between infrequently updated data and the data blocks and postpones as much as possible the merge operations between frequently updated data and the data blocks. As a result, the proposed method prevents the unnecessary merge operations, reduces the number of the erase operations, and improves the utilization of the flash memory storage. In order to show the superiority of the proposed scheme, we compare it with BAST and FAST. It is shown through performance evaluation that the proposed method achieves about 25% and 65% performance improvements over BAST and FAST on average in terms of the number of the erase operations.

본 논문에서는 데이터의 접근성에 따른 병합 가치를 고려한 새로운 로그 버퍼 관리 기법을 제안한다. 제안하는 기법은 로그 블록의 병합 가치를 평가하여 빈번하게 갱신이 발생하지 않는 데이터에 대해서 데이터 블록과의 병합연산을 수행한다. 또한 빈번하게 갱신되는 데이터에 대해 데이터 블록과의 병합을 최대한 지연한다. 이를 통해 불필요한 데이터 블록의 병합 연산을 방지하여 플래시 메모리의 소거 연산 횟수를 크게 감소시켰고, 공간 활용을 극대화 하였다. 마지막으로, 로그 버퍼 관리 기법의 대표적인 기법인 BAST와 FAST와의 성능 비교를 통해 본 논문에서 제안하는 기법의 우수성을 증명하였다. 성능평가 결과 제안하는 기법이 BAST와 FAST에 비해 소거연산 측면에서 평균 25%와 65%의 성능 향상이 있었다.

Keywords

References

  1. E. Gal and S. Toledo "Algorithms and data structures for flash memories," ACM Comput. Surv, Vol.37, No.2. pp.138-16, 2005. https://doi.org/10.1145/1089733.1089735
  2. S. E. Wells and C. H. Calif, “Method for wear leveling in a flash EEPROM memory," United States Patent, No.5,341,339, 1994.
  3. S. W. Han, “"Flash memory wear leveling system and method,” United States Patent, No. 6,016,275, 2000.
  4. J. S Kim, J. M. Kim, S. H. Noh, S. L. Min, and Y. K. Cho, “A space-efficient flash translation layer for Compact Flash systems,” IEEE Transactions on Consumer Electronics, pp.366-375, 2002(5). https://doi.org/10.1109/TCE.2002.1010143
  5. S. W. Lee, D. J. Park, S. W. Lee, T. S. Chung, D. H. Lee, S. W. Park, and H. J. Song, “A Log Buffer-Based Flash Translation Layer Using Fully-Associative Sector Translation,” ACM Transactions on Embedded Computing Systems, Vol.6 Issue 3, 2007(7). https://doi.org/10.1145/1275986.1275990
  6. SAMSUNG ELECTRONICS. Nand flash memory & smartmedia data block, 2005.
  7. SAMSUNG ELECTRONICS, Nand Flash memory, K9F2G08R0B data book, 2007.
  8. B. S. KIM and G. Y. LEE, "Method of driving remapping in flash memory and flash memory architecture suitable therefore," United States Patent, No.6,381,176, 2002(4).
  9. C. Park, J. Seo, D. Seo, S. Kim, and B. Kim, "Cost-efficient memory architecture design of nand flash memory embedded systems," In Proccedings of the 21st International Conference on Computer Design(ICCD '03), pp.474-480, 2003(10). https://doi.org/10.1109/ICCD.2003.1240943
  10. http://traces.cs.umass.edu/index.php/Storage/Storage.