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A Study on Efficiency Improvement of X-Band Power Amplifier Using Harmonic Control Circuit

고조파 제어 회로를 이용한 X-대역 전력 증폭기의 효율 개선에 관한 연구

  • Published : 2010.09.30

Abstract

In this paper, a simple and effective active load-pull method is proposed, and the method to improve the efficiency of X-band power amplifier using harmonic control circuit is presented. The proposed active load-pull system mainly consists of directional coupler, phase shifter, short circuit, and power amplifier, and allows a user to access reflection coefficients near the edge of the Smith chart($\Gamma$=1) easily. The device used in this paper is Mitsubishi's GaAs FET MGF1801, and the operating frequency of the power amplifier is 9 GHz, The amplifier had output power of 21.65 dBm and drain efficiency of 24.9 % at class-A, and had output power of 21.46 dBm and drain efficiency of 53.3 % at class-AB. Harmonic control circuit is designed only second and third harmonic components because of the bandwidth limitation of the microwave components. The drain efficiency is improved as much as 6.4 % compared with class-AB power amplifier.

본 논문에서는 간단하면서도 효과적인 능동적인 로드 풀(active load-pull) 방법을 제시하고, 고조파의 임피던스 성분을 제어하는 회로를 사용하여, X-대역 전력 증폭기의 효율을 개선시킬 수 있는 방법에 관하여 연구하였다. 제안된 능동적인 로드 풀 시스템은 크게 방향성 결합기와 위상 변위기, 단락 회로, 그리고 전력 증폭기로 구성되어 있으며, 전통적인 능동적인 로드 풀 방법에 비해 반사 계수가 1인 지점까지 임피던스를 쉽게 가져다 놓을 수 있다. 본 논문에서 사용된 소자는 Mitsubishi사의 GaAs FET인 MGF1801이며, 9 GHz의 동작 주파수에서 class-A일 때, 21.65 dBm의 출력 전력과 24.9 %의 드레인 효율을 얻었고, class-AB일 때, 21.46 dBm의 출력 전력과 53.3%의 드레인 효율을 얻었다. 고조파 제어 회로는 실험에 사용된 초고주파 부품의 주파수 대역폭의 한계로 인해, 2차와 3차 항 성분까지만 고려하여 설계하였으며, class-AB에서, 6.4 %의 효율이 증가된 것을 확인하였다.

Keywords

References

  1. Y. S. Lee, M. W. Lee, S. H. Kam, and Y. H. Jeong, "A highly linear and efficient three-way doherty amplifier using two-stage GaN HEMT cells for repeater systems", Microwave and Optical Technology Letters, vol. 51, no. 12, pp. 2895-2898, Dec. 2009. https://doi.org/10.1002/mop.24748
  2. 김선숙, 서철헌, "Single FET와 class-F급을 이용한 이중 대역 고효율 전력증폭기 설계", 전자공학회논문지, 45(1) TC, pp. 110-114, 2008년 1월.
  3. David Schmelzer, Stephen I. Long, "A GaN HEMT class F amplifier at 2 GHz with >80 % PAE", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 42, no. 10, pp. 2130-2136, Oct. 2007. https://doi.org/10.1109/JSSC.2007.904317
  4. Gary Simpson, "A comparison of harmonic tuning methods for load pull systems", Maury Microwave Corporation, Ontario, California, Available at: http: //www.maurymw.com, Jul. 2009.
  5. Y. Takayama, "A new load-pull characterization method for microwave power transistors", IEEE International Microwave Symposium Digest, vol. 76, no. 1, pp. 218-220, Jun. 1976. https://doi.org/10.1109/MWSYM.1976.1123701
  6. Z. Aboush, J. Lees, J. Benedikt, and P. Tasker, "Active harmonic load-pull system for characterizing highly mismatched high power transistors", IEEE International Microwave Symposium Digest, pp. 1311-1314, Jun. 2005. https://doi.org/10.1109/MWSYM.2005.1516920
  7. P. Bouysse, J.-M. Nebus, J.-M. Coupat, and J.-P. Villotte, "A novel, accurate load-pull setup allowing the characterization of highly mismatched power transistors", IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 42, no. 2, pp. 327-332, Feb. 1994. https://doi.org/10.1109/22.275264
  8. Z. Aboush, C. Jones, G. Knight, A. Sheikh, H. Lee, J. Lees, J. Benedikt, and P. J. Tasker, "High power active harmonic load-pull system for characterization of high power 100 watt transistors", European Microwave Conference Proc., Oct. 2005.