DOI QR코드

DOI QR Code

리튬이온전지용 산화갈륨 (β-Ga2O3) 나노로드 (Nanorods) 음극 활물질의 물리적.전기화학적 특성

Physical and Electrochemical Properties of Gallium Oxide (β-Ga2O3) Nanorods as an Anode Active Material for Lithium Ion Batteries

  • 최영진 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부) ;
  • 류호석 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부) ;
  • 조규봉 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부) ;
  • 조권구 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부) ;
  • 류광선 (울산대학교 화학공학과) ;
  • 김기원 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부)
  • Choi, Young-Jin (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University) ;
  • Ryu, Ho-Suk (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University) ;
  • Cho, Gyu-Bon (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University) ;
  • Cho, Kwon-Koo (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University) ;
  • Ryu, Kwang-Sun (Department of Chemistry, University of Ulsan) ;
  • Kim, Ki-Won (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University)
  • 발행 : 2009.05.30

초록

고순도의 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드(nanorods)가 니켈산화물 나노입자를 촉매로 사용하고 갈륨금속분말을 원료물질로 이용하여 화학기상증착법으로 합성되었다. 전계방출형 주사전자현미경을 이용하여 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드를 관찰한 결과, 평균직경은 약 160 nm 그리고 평균길이는 $4{\mu}m$였으며 vaporsolid(VS) 성장기구를 통하여 성장되었음을 알 수 있었다. X-선 회절시험과 고분해능 투과전자 현미경을 이용한 결정구조 분석 결과, 합성된 나노로드의 내부는 단사정계 결정구조를 가지는 단결정의 $\beta-Ga_{2}O_{3}$로 이루어져 있고 외벽은 비정질 갈륨옥사이드로 이루어진 코어-셀 구조로 구성되어 있는 것을 확인하였다. 합성된 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드를 음극 활물질로 사용하여 전극을 제조하고 전기화학적 특성을 분석한 결과, 리튬/$\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드 전지는 첫 방전 시 867 mAh/g-$\beta-Ga_{2}O_{3}$의 높은 용량을 나타내었으나 초기 비가역 용량으로 인해 62%의 낮은 충 방전 효율을 나타내었다. 그러나 5 사이클 이후 높은 충 방전 효율을 보이며 30 사이클까지 안정된 사이클 특성을 나타내었다.

$\beta-Ga_{2}O_{3}$ nanorods were synthesized by chemical vapor deposition method using nickel-oxide nanoparticle as a catalyst and gallium metal powder as a source material. The average diameter of nanorods was around 160 nm and the average length was $4{\mu}m$. Also, we confirmed that the synthesis of nanorods follows the vapor-solid growth mechanism. From the results of X-ray diffraction and HR-TEM observation, it can be found that the synthesized nanorods consisted of a typical core-shell structure with single-crystalline $\beta-Ga_{2}O_{3}$ core with a monoclinic crystal structure and an outer amorphous gallium oxide layer. Li/$\beta-Ga_{2}O_{3}$ nanorods cell delivered capacity of 867 mAh/g-$\beta-Ga_{2}O_{3}$ at first discharge. Although the Li/$\beta-Ga_{2}O_{3}$ nanorods cell showed low coulombic efficiency at first cycle, the cell exhibited stable cycle life property after fifth cycle.

키워드

참고문헌

  1. M. Yoshio, T. Tsumura, N. Dimov, J. of Power Sources 146, 10 (2005) https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2005.03.143
  2. J. Yang, Y. Takeda, N. Imanishi, C. Capiglia, J.Y. Xie, O. Yamamoto, Solid State Ionics 152-153, 125 (2002) https://doi.org/10.1016/S0167-2738(02)00362-4
  3. H. Guo, S. Zhao, H. Zhao, Y. Chen, Electrochim. Acta 54, 4040 (2009) https://doi.org/10.1016/j.electacta.2009.02.033
  4. G. Wang, X. Shen, J. Yao, D. Wexler, J. H. Ahn, Electrochem. Commun. 11, 546 (2009) https://doi.org/10.1016/j.elecom.2008.12.048
  5. L. B. Chen, N. Lu, C. M. Xu, H. C. Yu, T. H. Wang, Electrochim. Acta (2009) article in press https://doi.org/10.1016/j.electacta.2009.02.065
  6. H. Liu, G. Wang, J. S. Park, J. Wang, H. Liu, C. Zhang, Electrochim. Acta 54, 1733 (2009) https://doi.org/10.1016/j.electacta.2008.09.071
  7. Y. NuLi, P. Zhang, Z. Cuo, H. Liu, J. Electrochem. Soc. 155, A196 (2008) https://doi.org/10.1149/1.2826278
  8. J. Y. Luo, H. M. Xiong, Y. Y. Xia, J. Phys. Chem. C 112, 12051 (2008) https://doi.org/10.1021/jp800915f
  9. B. Tang, G. L.Wang, L. H. Zhuo, J. C. Ge, L. J. Cui, Inorg. Chem. 45, 5196 (2006) https://doi.org/10.1021/ic060097b
  10. C. N. R. Rao, F. L. Deepak, G. Gundiah, A. Govindaraj, Prog. Solid State Chem. 31, 8 (2003)
  11. G. W. Sears, Acta Metal. 3, 361 (1955) https://doi.org/10.1016/0001-6160(55)90041-9
  12. Y. Huang, S. Yue, Z. Wang, Q. Wang, C. Shi, Z. Xu, X. D. Bai, C. Tang, and C. Gu, J. Phys. Chem. B 110, 797 (2006)
  13. W. S. Shi, Y. F. Zheng, N. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, J. Vac, Sci. Technol. B 19, 1115 (2001) https://doi.org/10.1116/1.1382871
  14. X. F. Duan, J. F. Wang, C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 76, 1116 (2000) https://doi.org/10.1063/1.125956
  15. S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, C. J. Lee, Chem. Phys. Lett. 367, 717 (2003) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(02)01785-2
  16. C. J. Wen, R. A. Huggins, J. Electrochem. Soc. 128, 1638 (1981)
  17. K. T. Lee, Y. S. Jung, J. Y. Kwon, J. H. Kim, S. M. Oh, Chem. Mater. 20, 449 (2008)