References
- H. Ohno, Science, 281, 951 (1998) https://doi.org/10.1126/science.281.5379.951
- H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye, Appl. Phys. Lett., 69, 363 (1996) https://doi.org/10.1063/1.118061
- T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinag, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka, J. Crystal Growth, 175, 1063 (1997) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00937-2
- A. Van Esch, L. Van Bockstal, J. De Boeck, G. Verbanck, A. S. van Steenbergen, P. J. Wellmann, B. Grietens, R. Bogaerts, F. Herlach and G. Borghs, Phys. Rev., B56, 13103 (1997) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.56.13103
- K. W. Edmonds, P. Boguslawski, K. Y.Wang, R. P. Campion, S. N. Novikov, N. R. S. Farley, B. L. Gallagher,. T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. Buongiorno Nardelli and J. Bernholc, Phys. Rev. Lett., 92, 037201 (2004) https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.92.037201
- K. W. Edmonds, K. Y. Wang, R. P. Campion, A. C. Neumann, N. R. S. Farley, B. L. Gallagher and C. T. Foxon, Appl. Phys. Lett., 81, 4991 (2002) https://doi.org/10.1063/1.1529079
- K. C. Ku, S. J. Potashnik, R. F. Wang, S. H. Chun, P. Schiffer and N. Samarth, Appl. Phys. Lett., 82, 2302 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1564285
- D. Chiba, K. Takamura, F. Matsukura and H. Ohno, Appl. Phys. Lett., 82, 3020 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1571666
- A. M. Naznul, S. Sugahara and M. Tanaka, Phys. Rev., B67, 241308 (R) (2003)
- A. M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara and M. Tanaka, Phys. Rev. Lett., 95, 017201 (2005) https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.95.017201
- Y. D. Park, J. D. Lim, K. S. Suh, S. B. Shim, J. S. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, Y. S. Kim, Z. G. Khim and R. G. Wilson, Phys. Rev., B68, 085210 (2003) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.085210
- S. Lee, S. J. Chung, I. S. Choi, S. U. Yuldashev, H. Im, T. W. Kang, W. -L. Lim, Y. Sasaki, X. Liu, T. Wojtowicz and J. K. Furdyna, J. Appl. Phys., 93, 8307 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1556272
- T. Wojtowicz, W. L. Lim, X. Liu, M. Dobrowolska, J. K. Furdyna, K. M. Yu, W. Walukiewicz, I. Vurgaftman and J.R. Meyer, Appl. Phys. Lett., 83, 4220 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1628815
- K. Onomitsu, H. Fukui, T. Maed, Y. Hirayama and Y. Horikoshi, J. Crys. Growth, 278, 699 (2005) https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.095
- J. S. Kim, I. H. Bae, J. Y. Leem, S. K. Noh, J. I. Lee, J. S. Kim, S. M. Kim, J. S. Son and M. Jeon, J. Cry. Growth, 226, 52 (2001) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01364-1
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, C. G. Kim, S. H. Yoo and C. S. Kim, Appl. Phys. Lett., 82, 4755 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1586484
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, C. S. Kim, H. C. Lee, C. G. Kim, S. H. Yoo, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Appl. Phys., 93, 6793 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1556114
- K. H. Kim, J. B. Park, B. D. Kim, C. S. Kim, D. J. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, Metals Mater., 8, 177 (2002) https://doi.org/10.1007/BF03027015
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, D. Djayaprawira, M. Takahashi, C. S. Kim, C. G. Kim and S. H. Yoo, Appl. Phys. Lett., 82, 1775 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1561580
- F. C. Yu, C. Gao, D. J. Kim, S. K. Hong, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Kor. Phys. Soc., 49, 596 (2006)
- Handbook of Physics, p. 1078, W. Benenson, J. W. Harris, H. Stocker, H. Lutz eds., Springer-Verlag, New York, (2002)
- C. X. Gao, F. C. Yu, A.R. Choi, D. J. Kim, C. G. Kim, C. S. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Crys. Growth, 291, 60 (2006) https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.03.007
- M. Tanaka, J. P. Harbison, J. DeBoeck, T. Sands, B. Philips, T. L. Cheeks and. V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett., 62, 1565 (1993) https://doi.org/10.1063/1.108642
- Y. D. Park, J. D. Lim, K. S. Suh, S. B. Shim, J. S. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, Y. S. Kim, Z. G. Khim and R. G. Wilson, Phys. Rev., B68, 085210 (2003) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.085210