References
- B. G. Rho, LCD Engineering, pp.333-344, Sungandang, (in Korea) (2000)
- H. J. Kim and S. K. Kim, Kor. IEEME, 13(8), 1226 (2000)
- T. Urade, T. Iemori, M. Oswa, and N. Nakayama, IEEE Trans. Electron Devices, 23(3), 313 (1976) https://doi.org/10.1109/T-ED.1976.18397
- M. O. Aboelfotoh and J. A. Lorenzen, J. Appl. Phys., 48, 4754 (1977) https://doi.org/10.1063/1.323490
- C. I. Kim, E. K. Lim, Y. J. Park, Y. J. Lee, J. H. Paik, E. H. Choi, S. Jung and J. S. Kim, Kor. IEEME, 20(7), 620 (2007) https://doi.org/10.4313/JKEM.2007.20.7.620
- J. H Cho, R.W Kim, J.Y Kim, Y.K Lee, H.J. Kim and J.W. Park, Kor. J. Mater. Res., 9(5), 441 (1999)
- M.Wintersgill and J. Fomtanella, J. Appl. Phys., 50, 8259 (1979) https://doi.org/10.1063/1.325932
- C. K. Yoon, J. K. Kim, Y. W. Chung, S. H. Ahn, J. H. Yang and K. W. Whang, J. Soc. Info. Display,611 (1997)
- K. Machida, H. Uchiike and H. Sasaki, J. Soc. Info. Display, 531 (1992)
- H.Uchiike and S. Harada, J. Soc. Info. Display, 444 (1991)
- K. Kamata, Y. Shibata and T. Kishi, J. Mater. Sci. Lett., 3, 423 (1984) https://doi.org/10.1007/BF00724383
- T. J. Vink, A. R. Balkenende, R. G. F. A. Verbeek, H. A. M. van Hal and S. T. de Zwart, Appl. Phys. Lett., 80, 2216 (2002) https://doi.org/10.1063/1.1464229
- E. H. Choi, H. J. Oh, Y. G. Kim, J. J. Ko, J. Y. Lim, J. G. Kim, D. I. Kim, G. Cho and S. O. Kang, Jpn. J. Appl. Phys., 37, 7015 (1998) https://doi.org/10.1143/JJAP.37.7015
- E. H. Choi, J. Y. Lim, Y. G. Kim, J. J. Ko, D. I. Kim, C. W. Lee and G. S. Cho, J. Appl. Phys., 86, 6525 (1999) https://doi.org/10.1063/1.371618
- D. I. Kim, J. Y. Lim, Y. G. Kim, J. J. Ko, C. W. Lee, G. S. Cho and E. H. Choi, Jpn. J. Appl. Phys., 39, 1890 (2000) https://doi.org/10.1143/JJAP.39.1890
Cited by
- by Precipitation Method vol.22, pp.1, 2012, https://doi.org/10.3740/MRSK.2012.22.1.054