Electrical & Electronic Materials (E2M - 전기 전자와 첨단 소재)

Volume 21 Issue 5
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Pages.42-50
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2008
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2982-6268(pISSN)
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2982-6306(eISSN)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)

권호 표지

고성능 플래시 메모리를 위한 터널 베리어 엔지니어링

정종완 (세종대 나노공학과) ;
조원주 (광운대 전자재료공학과)

Published : 2008.05.01

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Abstract

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