Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC (대한전자공학회논문지TC)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Design of a Dual Band High PAE Power Amplifier using Single FET and Class-F

Single FET와 Class-F급을 이용한 이중대역 고효율 전력증폭기 설계

  • Kim, Seon-Sook (Information and Telecommunication Engineering, Soongsil University) ;
  • Seo, Chul-Hun (Information and Telecommunication Engineering, Soongsil University)
  • 김선숙 (숭실대학교 정보통신전자공학부) ;
  • 서철헌 (숭실대학교 정보통신전자공학부)
  • Published : 2008.01.25
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Abstract

In this paper, high efficient class F power amplifier with dual band has been realized. Dual band power amplifier have used modify stub matching for single FET, center frequency 2.14GHz and 5.2GHz respectively. Dual band amplifier is 32.65dBm output power, gain 11dB and PAE 36% at the 2.14GHz, 7dB gain at the 5.2GHz. Design of a dual band class F power amplifier using harmonic control circuit. The measured are 9.9dB gain, 30dBm output power and PAE 55% at the 2.14GHz, 11.7dB gain at the 5.2GHz. This paper is being used the load-pull method and it maximizes output power and it is using the only one transistor in the paper. As a result, this research will obtain a dual band high PAE power amplifier.

본 논문에서는 단일 FET를 이용하여 2.14GHz/5.2GHz 이중대역 고효율 Class F 전력증폭기를 설계 구현하였다. 전송선로를 이용하여 초기의 정합값을 적절히 이동시켜 하나의 능동소자로 2.14GHz/5.2GHz의 이중대역에서 동작되는 전력증폭기를 설계하였으며, 2.14GHz에서 32.65dBm의 출력과 11dB의 출력이득 36%의 전력효율을, 5.2GHz에서 7dB의 출력이득의 특성을 보였다. 고조파를 제어 회로를 설계하여 증폭기의 출력단에 추가 하여 Class F로 동작하는 이중대역 전력증폭기를 설계 하였다. 이중대역 Class F 전력증폭기는 2.14GHz에서 9.9dB의 출력이득과 30dBm의 출력, 55%의 전력효율을 가졌으며, 5.2GHz에서 11.7dB의 출력이득을 갖는 특성을 보였다. 고조파 제어 회로를 이용한 이중대역 Class F 전력증폭기가 전력효율을 향상시킴을 보였다.

Keywords

References

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