갈륨나이트라이드기반 발광다이오드의 정전기방전 피해 방지에 대한 연구

Studies on improvement scheme of Electro-Static Discharge protection of GaN based LEDs

최근 사파이어기판 위에 성장한 갈륨나이트라이드 발광다이오드의 소자 제작 기술이 비약적으로 발전하였다. 하지만 이들 다이오드가 이미 상업적으로 활용되고 있다 할지라도 갈륨나이트라이드 발광다이오드에 있어서 다이오드를 구성하는 물질들과 소형화에 따른 정전기 방전에 의한 피해를 고려해야한다. 정전기방전(ESD)에 의한 피해는 발광소자의 신뢰성에 매우 큰 영향을 주는 파라미터중 하나이다. 본 연구에서는 대량생산 되는 발광다이오드의 생산공정에서 발생하는 정전기방전에 의한 피해와 이에 대한 대책을 논의하였다. 대부분의 ESD 문제는 장비의 적정한 사용과 공정 환경 개선을 통해서 제어되었다.

High performance light emitting diodes(LEDs) have been developed using GaN-based materials grown on sapphire substrates in recent years. Although these LEDs are already commercially available, we have to consider electrostatic discharge(ESD) damage related to both basic materials of diode and miniaturization of LEDs. ESD damage is one of the important parameters influencing reliability of the light emitting devices. We investigated mass production of GaN-based LEDs suffered from ESD during production process and present the solutions in order to improve the ESD problem. Most of EDS problems were controlled by using instruments properly and improvement of the process circumstances as well.