초록
반도체 공정에서 각 단계별 과정을 거친 후 dechucking시 wafer가 ESC(Electrostatic Chuck)로부터 방전되지 못하고, 잔류되어 있는 극성을 띤 전하(Electric charge)들에 의해 wafer와 ESC사이에 인력이 발생하여 wafer의 sliding, popping 및 wafer broken 등의 문제가 발생한다. 본 논문에서는 wafer와 ESC의 구성을 capacitor를 이용하여 modeling하고, PSpice를 사용하여 chucking system에 의한 wafer의 대전 현상을 모의하고 그 결과를 바탕으로 잔류전하를 방전시키기 위한 여러 가지 방법을 검토하여 최적의 잔류전하 제거 기법을 제시한다. 즉 별도의 전압원을 사용하여 (+)와 (-)를 교번하는 구형파를 인가함과 아울러 일정시간 동안 Plasma내에서 스위칭시킴으로써 ESC나 wafer에 charge되어 있는 극성을 띤 전하들을 중화(Neutralize) 시키도록 하였다. 그리고 이를 실제 하드웨어로 구현하여 실 공정에 적용한 결과를 제시한다.
After the semiconductor processing, wafer is attracted by ESC(Electrostatic Chuck) with remaining electric charge. That causes too many problems for examples, sliding of wafer, popping or broken. This paper presents the model of ESC for silicon wafer, which is modeled by electrical circuit component such as capacitor. The simulations using PSpice result in the phenomenon of silicon wafer was charged by ESC. In this paper we suggest the discharging method. for wafer.