Abstract
Broadband monolithic SiGe HBT variable gain amplifier with a feedforward configuration have been newly developed to improve bandwidth and dB-linearly controlled gain characteristics. The VGA has been implemented in a $0.35-{\mu}m$ BiCMOS process. The VGA achieves a dynamic gain-control range of 19.6 dB and a 3-dB bandwidth of 4 GHz ($4{\sim}8\;GHz$) with the control-voltage range from 0.6 to 2.6 V. The VGA produces a maximum gain of 9.3 dB at 6 GHz and a output power of -3 dBm at 8 GHz.
피드포워드 방식을 이용하여 광대역, 선형 이득 제어 특성을 갖는 SiGe HBT 가변 이득 증폭기를 설계 및 제작하였다. 가변 이득 증폭기는 능동 발룬, 차동형 주 증폭기, 피드포워드 블록, 전압 조절부로 구성 되었으며, 주 증폭기와 피드포워드 블록의 신호가 역위상으로 상쇄되어 광대역의 선형 이득 제어가 가능하도록 각 부분을 최적화 시켰다. 설계된 가변 이득 증폭기는 STMicroelectronics사(社)의 0.35 ${\mu}m$ Si-BiCMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 제작 및 측정 결과, 피드포워드 방식의 가변 이득 증폭기는 4 GHz($4\;GHZ{\sim}8\;GHz$)의 광대역 특성을 나타내었다. 또한, 제작된 가변 이득 증폭기는 6 GHz에서 9.3 dB의 최대 이득과 0.6 - 2.6 V의 조절 전압 인가시 19.6 dB의 이득 조절 범위 특성을 나타내었으며, 8 GHz에서 -3 dBm의 출력 전력 특성을 각각 나타내었다.