마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제14권1호
- /
- Pages.61-68
- /
- 2007
- /
- 1226-9360(pISSN)
- /
- 2287-7525(eISSN)
$Ar^+$ RF 플라즈마 처리조건이 임베디드 PCB내 전극 Cu박막과 ALD $Al_2O_3$ 박막 사이의 계면파괴에너지에 미치는 영향
Effect of $Ar^+$ RF Plasma Treatment Conditions on Interfacial Adhesion Energy Between Cu and ALD $Al_2O_3$ Thin Films for Embedded PCB Applications
- 박성철 (안동대학교 신소재공학부) ;
- 이장희 (안동대학교 신소재공학부) ;
- 이정원 (삼성전기 중앙연구소) ;
- 이인형 (삼성전기 중앙연구소) ;
- 이승은 (삼성전기 중앙연구소) ;
- 송병익 (삼성전기 중앙연구소) ;
- 정율교 (삼성전기 중앙연구소) ;
- 박영배 (안동대학교 신소재공학부)
- Park, Sung-Cheol (School of Material Science and Engineering, Andong National University) ;
- Lee, Jang-Hee (School of Material Science and Engineering, Andong National University) ;
- Lee, Jung-Won (Central R&D Institute, Samsung Electro-mechanics) ;
- Lee, In-Hyung (Central R&D Institute, Samsung Electro-mechanics) ;
- Lee, Seung-Eun (Central R&D Institute, Samsung Electro-mechanics) ;
- Song, Byoung-Ikg (Central R&D Institute, Samsung Electro-mechanics) ;
- Chung, Yul-Kyo (Central R&D Institute, Samsung Electro-mechanics) ;
- Park, Young-Bae (School of Material Science and Engineering, Andong National University)
- 발행 : 2007.03.30
초록
임베디드 PCB 기판내 유전체 재료인 Atomic Layer Deposition(ALD)
Interfacial fracture energy(