References
- S. B. Chen, C. H. Lai, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, IEEE Electron Device Lett., 23, 185 (2002) https://doi.org/10.1109/55.992833
- H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, M. F. Li, B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Electron Device Lett., 23, 514 (2002) https://doi.org/10.1109/LED.2002.1004230
- S. J. Kim, B. J. Cho, M. F. Li, X. Yu, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 24, 387 (2003) https://doi.org/10.1109/LED.2003.813381
- S. J. Ding, H. Hu, C. Zhu, M. F. Li, S. J. Kim, B. J. Cho, D. S. H. Chan, M. B. Yu, A. Y. Du, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 25, 681 (2004) https://doi.org/10.1109/LED.2004.835791
- S. Y. Lee, H. S. Kim, P. C. Mclntyre, K. C. Saraswat, and J. S. Byun, Appl. Phys. Lett., 82, 2874 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1569985
- C. Wenger, J. Dabrowski, P. Zaumseil, R. Sorge, P. Formanek, G. Lippert, and H. J. Mussig, 7, 227 (2004) https://doi.org/10.1016/j.mssp.2004.09.018
- S. J. Kim, B. J. Cho, M. B. Yu, M. F. Li, Y. Z. Xiong, C, Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Devices Lett., 26, 625 (2005) https://doi.org/10.1109/LED.2004.840395
- K. C. Chiang, C. C. Huang, A. Chin, W. J. Chen, S. P. McAlister, H. F. Chiu, J. R. Chen and C. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 26, 504 (2005) https://doi.org/10.1109/LED.2005.851241
- S. J. Kim, B. J. Cho, M. F. Li, S. J. Ding, C. Zhu, M. B. Yu, B. Narayanan, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 25, 538 (2004) https://doi.org/10.1109/LED.2004.832785
- S. J. Kim, B. J. Cho, M. B. Yu, M.-F. Li, Y. Z. Xiong, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 26, 625 (2005) https://doi.org/10.1109/LED.2005.854378
- K. C. Chiang, C. C. Huang, G. L. Chen, W. J. Chen, H. L. Kao, Y. H. Wu, A. Chin, and S. P. McAlister. IEEE Trans. Electron Devices, 53, 2312 (2006) https://doi.org/10.1109/TED.2006.881013
- K. Wakino, K. Minai, and H. Tamura, J. Am. Ceram. Soc., 67, 278 (1984)
- T. Ncgas, G. Yeager, S. Bell, N. Coats, and I. Minis, Am. Ceram. Soc. Bull., 72, 80 (1993)
- J. H. Choy, Y. S. Han, J. H. Sohn, and M. Itoh, J. Am. Ceram. Soc., 78, 1169 (1995) https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1995.tb08464.x
- M. Cernea, E. Chirtop, D. Neacsu, I. Pasuk, and S. Iordanescu, J. Am. Ceram. Soc., 85, 499 (2002)
- B. Y. Jang, Y. H. Jeong, S. J. Lee, K. J. Lee, S. Nahm, H. J. Sun, and H. J. Lee, J. Amer. Cer. Soc., 88, 1209 (2005) https://doi.org/10.1111/j.1551-2916.2005.00311.x
- B. Y. Jang, Y. H. Jeong, S. J. Lee, K. J. Lee, S. Nahm, H. J. Sun, and H. J. Lee, J. Euro. Cer. Soc., 26, 1913 (2006) https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2005.09.020
- B. Y. Jang, B. J. Kim, S. J. Lee, K. J. Lee, S. Nahm, H. J. Sun, and H. J. Lee, Appl. Phy. Lett., 87, 112902-3 (2005) https://doi.org/10.1063/1.2048827
- International Technology Roadmap for Semiconductors, (2005)
- L. I. Maissel, R. Glang, Handbook of Thin Film 'Technology., p.14-13-14-25, McGraw-Hill, New York, (1970)
- S. M. Sze, Physics of Semiconductor., p. 403, John Wiley & Sons, New York, (1981)
- W. D. Kingery, H. K. Bowen, and D. R. Uhlmann, Introduction to Ceramics., p. 662, John Wiley & Sons, New York, (1976)
- C. Zhu, H. Hu, X. Yu, S. J. Kim, A. Chin, M. F. Li, B. J. Cho and D.-L. Kwong, in Proc. of IDEM, 879 (2003)
- S. Blonkowski, M. Regache, and A. Halimaoui, J. Appl. Phys., 90, 1501 (2001) https://doi.org/10.1063/1.1381043
- F. M. Pontes, E. R. Leite, E. Longo, J. A. Varela, E. B. Araujo and J. A. Eiras, Appl. Phys. Lett. 76, 2433 (2000) https://doi.org/10.1063/1.126367