Abstract
Optical module plays an important role in the construction of high speed communication network. Laser diode is a component of optical module, and its characteristics are dependent of temperature, so many researches are reported. In this paper, we proposed the electrical equivalent circuit of PBH-LD based on the rate equations. And, the two leakage paths exit outside the active region. One path is converted pn-diode and the other path is converted two transistors using npn-Tr and pnp-Tr. In order to reduce the leakage currents, we observed the dependence of carrier concentrations of current blocking layers using PSPICE simulator.
초고속 정보통신망의 구축에 있어 광모듈은 중요한 부분을 차지하고 있다. 그 중에서 광원인 레이저 다이오드는 온도에 변화에 대해 성능이 크게 좌우되므로, 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 논문은 평면 매립형 레이저 다이오드를 비율 방정식에 의하여 전기적 등가회로로 변환하였다. 그리고, 누설 경로에 해당하는 활성층 바깥 영역을 다이오드와 두 개의 트랜지스터로 등가화한 후, 시뮬레이션을 통해 누설전류를 해석하였다. 시뮬레이션을 통해 누설전류를 줄이기 위한 전류차단층의 도핑농도를 조사하였다.