DOI QR코드

DOI QR Code

나노 산화층을 사용한 자기터널접합의 특성

Characteristics of Magnetic Tunnel Junctions Incorporating Nano-Oxide Layers

  • 추인창 (고려대학교 공과대학 신소재공학부) ;
  • 전병선 (고려대학교 공과대학 신소재공학부) ;
  • 송민성 (고려대학교 공과대학 신소재공학부) ;
  • 이성래 (고려대학교 공과대학 신소재공학부) ;
  • 김영근 (고려대학교 공과대학 신소재공학부)
  • Chu, In-Chang (Department of materials Science and Engineering, Korea University) ;
  • Chun, Byong-Sun (Department of materials Science and Engineering, Korea University) ;
  • Song, Min-Sung (Department of materials Science and Engineering, Korea University) ;
  • Lee, Seong-Rae (Department of materials Science and Engineering, Korea University) ;
  • Kim, Young-Keun (Department of materials Science and Engineering, Korea University)
  • 발행 : 2006.04.01

초록

자기터널접합은 일반적으로 $250^{\circ}C$ 이상의 온도에서 터널자기저항비의 저하가 발생하는데 이는 반강자성체로 사용된 IrMn 중 Mn이 강자성체인 CoFe 및 터널배리어로의 내부확산에 기인한다. 자기터널접합의 열적 안정성을 향상시키기 위하여 나노산화층을 삽입하여 Mn의 확산을 제어하였다. CoNbZr 4/CoFe 10/IrMn 7.5/CoFe 3/터널배리어/CoFe 3/CoNbZr 2(nm)와 같은 자기터널접합을 기본구조로 하여 각각의 층에 나노산화층을 삽입하여 열적안정성 및 전자기적 특성을 비교 분석 하였다. 나노산화층의 삽입에 의해 터널자기저항비, 자기터널접합의 표면 평활도 및 열적안정성이 향상되었다.

The tunneling magnetoresistance (TMR) ratios of magnetic tunnel junctions (MTJs), in general, decrease abruptly above 250$^{\circ}C$ due to Mn interdiffusion from an antiferromagnet IrMn layer to a ferromagnetic CoFe and/or a tunnel barrier. To improve thermal stability, we prepared MTJs with nano-oxide layers. Using a MTJ structure consisting of underlayer CoNbZr 4/bufferlayer CoFe 10/antiferromaget IrMn 7.5/pinned layer CoFe 3/tunnel barrier AlO/freelayer CoFe 3/capping CoNbZr 2 (nm), we placed a nano-oxide layer (NOL) into the underlayer or bufferlayer. Then, the thermal, structural and magneto-electric properties were measured. The TMR ratio, surface flatness, and thermal stability of the MTJs with NOLs were promoted.

키워드

참고문헌

  1. S. S. P. Parkin, K. P. Roche, M. G. Samant, P. M. Rice, R. B. Beyers, R. E. Scheuerlein, E. J. O'Sullivan, S. L. Brown, J. Bucchigano, D. W. Abraham, Y. Lu, M. Rooks, P. L. Trouilloud, R. A. Wanner, and W. J. Gallsgher, J. Appl. Phys. 85, 5828(1999) https://doi.org/10.1063/1.369932
  2. M. Julliere, Phys. Lett. A 54, 225(1975) https://doi.org/10.1016/0375-9601(75)90174-7
  3. T. Miyazaki and N. Tezuka, J. Magn. Magn. Mater. 139, L231 (1995) https://doi.org/10.1016/0304-8853(95)90001-2
  4. J. S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wong, and R. Meservey, Phys. Rev. Lett. 74, 3273(1995) https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.74.3273
  5. Y. Saito, M. Amano, K. Nakajima, S. Takahashi, and M. Sagoi, J. Magn. Magn. Mater. 223, 293(2001) https://doi.org/10.1016/S0304-8853(00)01270-1
  6. S. Cardoso, R. Ferreira, P. P. Freitas, P. Wei, and J. C. Soares, Appl. Phys. Lett. 76, 3792(2000) https://doi.org/10.1063/1.126783
  7. Y. Kamiguchi, Y. Kawawake, M. Satomi, and H. Sakakima, INTERMAG 1999, DB-01(1999)
  8. H. Sakakima, M. Satomi, Y. Sugita, and Y. Kawawake, J. Magn. Magn. Mater. 210, 20(1995) https://doi.org/10.1016/S0304-8853(99)00768-4
  9. J. S. Kim, Y. K. Kim, and S.-R. Lee, IEEE Trans. Magn. 39, 2824(2003) https://doi.org/10.1109/TMAG.2003.815724
  10. M. G. Samant, J. Luning, J. Stohr, and S. S. P. Parkin, Appl. Phys. Lett. 76, 3097(2000) https://doi.org/10.1063/1.126535
  11. B. S. Chun, S. R. Lee, and Y. K. Kim, J. of Magnetics 9, 13(2004) https://doi.org/10.4283/JMAG.2004.9.1.013
  12. H. G. Cho, Y. K. Kim, and S. R. Lee, IEEE Trans. Magn. 38, 2685(2002) https://doi.org/10.1109/TMAG.2002.803155