마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제12권2호
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- Pages.149-154
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- 2005
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
게이트를 상정한 니켈 코발트 복합실리사이드 박막의 물성연구
Characteristics of Ni/Co Composite Silicides for Poly-silicon Gates
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Kim, Sang-Yeob
(Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul) ;
- Jung, Young-Soon (Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul) ;
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Song, Oh-Sung
(Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul)
- 발행 : 2005.06.01
초록
궁극적으로 게이트를 저저항 복합 실리사이드로 대체하는 가능성을 확인하기 위해 70 nm 두께의 폴리실리콘 위에 각 20nm의 Ni, Co를 열증착기로 적층순서를 달리하여 poly/Ni/Co, poly/Co/Ni구조를 만들었다. 쾌속열처리기를 이용하여 실리사이드화 열처리를 40초간
We fabricated Ni/Co(or Co/Ni) composite silicide layers on the non-patterned wafers from Ni(20 nm)/Co(20 nm)/poly-Si(70 nm) structure by rapid thermal annealing of