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Reaction Gas Composition Dependence on the Properties of SnO2 Films on PET Substrate by ECR-MOCVD

반응가스조성이 PET기판위에 ECR 화학증착법에 의해 제조된 SnO2 박막특성에 미치는 영향

  • Kim, Yun-Seok (Eco-Nano Technology Research Center, Korea Institue of Science and Technology) ;
  • Lee, Joong-Kee (Eco-Nano Technology Research Center, Korea Institue of Science and Technology)
  • 김연석 (한국과학기술연구원 나노환경연구센터) ;
  • 이중기 (한국과학기술연구원 나노환경연구센터)
  • Published : 2005.08.01

Abstract

[ $SnO_x$ ] films on the flexible substrate of PET film were prepared at ambient temperature under a $(CH_3)_4Sn(TMT: tetra-methyl tin)-H_2-O_2$ atmosphere in order to obtain transparent conductive polymer by using ECR-MOCVD(Electro Cyclotron Resonance Metal Organic Chemical Yfpor Deposition) system. The prepared $SnO_x$ thin films show generally over $90\%$ of optical transmittance at wavelength range of 380-780nm and about $1\times10^{-2\~3}ohm{\cdot}cm$ of electrical resistivity. In the present study, effects of $O_2/TMT\;and\;H_2/TMT$ mole ratio on the properties of $SnO_x$ films are investigated and the other process parameters such as microwave power, magnetic current power, substrate distance and working pressure are fixed. Based on our experimental results, the $SnO_x$ film composition ratio of Sn and O directly influences on the electrical and optical properties of the films prepared. The $SnO_x$ film with low electric resistivity and high transmittance could be obtained by controlling the process parameters such as $O_2/TMT\;and\;H_2/TMT$ mole ratio, which play an important role to change the composition ratio between Sn and O. An increase of $O_2/TMT$ mole ratio brought on the increases 0 content in the $SnO_x$ film. On the other hand, an increase of $H_2/TMT$ mole ratio lead to decreases the oxygen content in the film. The optimized composition ratio of oxygen : tin Is determined as 2.4: 1 at $O_2/TMT$ of 80 and $H_2/TMT$ of 40 mole ratio, respectively.

전자싸이크로트론공명(ECR: Electro Cyclotron Resonance)상온화학증착법에 의해 PET 폴리머기판위에 $SnO_x$ 박막을 제조하고, Sn의 전구체인 TMT(Tetra-methyl Tin)에 대한 산소와 수소의 몰 비 변화가 박막의 특성에 미치는 영향을 조사하였다 비화학양론적인 결합에 의해 성장된 투명 주석 산화막은 주입되는 산소/TMT, 수소/TMT몰 비에 의하여 조성비가 결정되고, 결정된 조성비에 의해 전기적 성질이 결정되는 것을 확인할 수 있었다. 산소/TMT의 몰 비 변화에 대하여 PET(polyethylene terephthalate)에 증착된 $SnO_x$ 박막의 최적 조성비는 1:2.4이다. 조성비는 반응에 참가하는 산소의 양이 증가할수록 점차적으로 증가하고, 과량의 몰 비로 산소가 주입될 경우 박막내의 Sn과 결합하지 않고 잉여 산소전하밀도를 증가시켜 bulk한 박막을 형성해 전기 비저항을 증가시키는 주요 원인이 된다. 수소/TMT의 몰 비는 산소 몰 비와 같이 증착되는 $SnO_x$의 몰 비에 영향을 주어 조성비를 변화시킴으로서 전기비저항을 결정하는데 크게 기여한다. 반응기내에 공급되는 수소량이 적으면 TMT의 불완전한 분해를 초래하여 반응에 필요한 $Sn^+$ 이온농도가 낮아지게 되고,상대적으로 잉여 산소함량이 증가하면서 높은 저항을 나타낸다. 임계값 이상으로 많은 양의 수소를 공급하면 플라즈마 내에 존재하는 $O^-$ 이온을 환원시켜 주석 산화막의 형성에 필요한 $O^-$ 이온의 감소로 전기저항이 오히려 증가하게 된다. 따라서 박막의 Sn:O의 조성비는 주입되는 산소량이 증가할수록 더욱 큰 값을 갖게 되고, 주입되는 수소량이 증가할수록 작은 값을 갖게 된다. 본 연구범위에서 TMP에 대한 산소의 몰 비는 80배, 수소의 몰 비는 40배일 때 가장 투명도와 전기전도도를 지니는 박막 특성을 나타내었다.

Keywords

References

  1. J. L. Vessen, in 'Physics of Thin Films' (Georg Hass, ed.) Academic Press., New York, 9, 1-71(1981)
  2. F. L. Deschamps, 'Recent Development Results in Color-Plasma Display', SID, 315-318 (1994)
  3. B. Radha Krishna, T. K. Subramanyam, B. Srinivasulu Naidu, and S. Uthanna, 'Effect of substrate temperature on the electrical and optical properties of de reactive magnetron sputtered indium oxide films', Optical materials, 15, 217 (2000) https://doi.org/10.1016/S0925-3467(00)00041-0
  4. Mihaela Girtan, G. I. Rusu, amd G. G. Rusu, 'The influence of preparation conditions on the electrical and optical properties of oxidized indium thin films', Materials Science and Engineering, B76, 156 (2000) https://doi.org/10.1016/S0921-5107(00)00439-6
  5. J. J. robbins, R. T. Alexander, W. Xiao, T. L. Vincent, and C. A. Wolden, 'An investigation of tin oxide plasma-enhanced chemical vapor deposition using optical emission spectroscopy', Thin solid Films, 406, 145 (2002) https://doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00051-2
  6. R. Dolbec, M. A. El Khakani, A. M. Serventi, and R. G. Saint jacques, 'Influence of the nanostructural characteristics on the gas sensing properties of pulsed laser deposited tin oxide thin films', Sensors and Actuators B: Chemical, 93, Issues 1-3, 566 (2003) https://doi.org/10.1016/S0925-4005(03)00229-6
  7. E. Shanthi, V. Dutta, A. Banerjee, and K. L. Chopra, 'Electrical and optical properties of un doped and antimony-doped tin oxide films', J. Appl. Phys., 51, 6243 (1980) https://doi.org/10.1063/1.327610
  8. E. Shanthi, V. Dutta, A. Banerjee, and K. L. Chopra, 'Electrical and optical properties of tin oxide films doped with F and (Sb+F)', J. Appl. Phys., 53, 1615 (1982) https://doi.org/10.1063/1.330619
  9. Wen-Fa Wu, Bi-Shiou Chiou, and Shu-Ta Hsieh, 'Effect of sputtering power on the structural and optical properties of RF magnetron sputtered ITO films', Semicond. Sci. Technol, 9, 1242 (1994) https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/6/014
  10. M. Kwoka, L. Ottaviano, M. Passacantando, S. Santucci, G Czempik, and J. Szuber, 'XPS study of the surface chemistry of LCVD $SnO_2$ thin films after oxidation', Thin solid films, 490, 36 (2005) https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.04.014
  11. B. M. Ataev, V. V. Mamedov, A. K. Omaev, and B. A. Magomedov, 'Epitaxial ZnO films grown by RF-assisted low-temperature CVD method', Materials Science in Semiconductor Processing, 6, 535 (2003) https://doi.org/10.1016/j.mssp.2003.08.012
  12. Walter Water and Sheng-Yuan Chu, 'Physical and structural properties of ZnO sputtered films', Materials Letters, 55, 67 (2002) https://doi.org/10.1016/S0167-577X(01)00621-8
  13. 신재혁. 신정호. 박정일,'투명전도성 ITO 박막의 현황과 과제', 전자전기재료, 12(7), (1999)
  14. F. J. Yusta, M. L. Hitchman, and H. Shamlian, 'CVD preparation and characterization of tin dioxide films for electrochemical applications', J. mater. chem., 7, 1421 (1997) https://doi.org/10.1039/A608525C
  15. T. P. chow, M. Chezzo, and B. J. Baliga, 'Antimony-doped tin oxide films deposited by the oxidation of tetramethyltin and trimethylantimony', Electrochem. Soc, 129, 1041 (1982) https://doi.org/10.1149/1.2124012