The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science (한국전자파학회논문지)

The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science (한국전자파학회)
권호 표지

High Efficiency V-band Power Combining Modules Using Slotline-to-Microstrip Transition

슬롯라인-마이크로스트립 변환을 이용한 고효율 V-band 전력 결합 모듈

  • Kim Dong-Ki (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
  • Jeong Jin-Ho (Department of Electrical & Computer Engineering, University of California San Diego) ;
  • Kwon Young-Woo (School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University)
  • Published : 2005.06.01
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Abstract

Two high-efficiency and high power power-combing modules were developed using slotline-to-microstrip transition at V-band. Power-combining modules incorporating two MMIC power amplifiers demonstrated combining efficiencies higher than $80\%$(maximum $86\%$) with saturated output power of 22.96 dBm and 22.81 dBm, respectively. The measurement of back-to-back connected combiners demonstrated insertion loss less than 1.2 dB with return loss better than 15 dB around 60 GHz, respectively.

본 연구를 통하여 슬롯라인-마이크로스트립 변환을 이용한 고효율 전력 결합 모듈을 개발하였다. 제작된 전력 결합 모듈은 본 논문에서 제안하는 두 가지 형태의 전력 결합기를 이용하여 슬롯라인 중앙에서 도파관을 통해 입사된 전력을 분배하고 전력 증폭기를 거친 후 다시 전력이 결합되도록 하였다. 제작한 결과 58.5 GHz와 60 GHz에서 각각 22.96 dBm, 22.81 dBm의 포화 출력 전력과 $80\%$ 이상의(최대 $86\%$)고효율 전력 결합도를 얻을 수 있었다. 각각의 전력 결합기를 back-to-back으로 연결하여 손실을 측정한 경우 두 가지 형태 모두 60 GHz 근방에서 1.2 dB 내의 우수한 삽입손실을 보였으며 반사 손실은 15 dB 이상의 특성을 보였다.

Keywords

References

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