Abstract
We have synthesized a Eu$^{2+}$-activated Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$ blue phosphor and investigated an attempt to develop blue LEDs by combining it with a InGaN blue LED chip (Len=405 nm). The InGaN-based Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu LED Lamp shows two bands at 405 nm and 460 nm. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This 405 nm emission was used as an optical transition of the Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu phosphor. The 460 m emission band is ascribed to a radiative recombination of Eu$^{2+}$ impurity ions in the Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$ host matrix. As a consequence of a preparation of W blue LED Lamp using the Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu blue phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the ration of epoxy/blue phosphor(1/0,202). At this time, the CIE chromaticity was x=0.1417 and y=0.0683.
Eu$^{2+}$를 활성제로 Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$ 청색 형광체를 합성하고, Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu 청색 형광체를 InGaN의 UV chip에 도포하여 청색 LED Lamp를 제조하였다. 제조된 청색 LED Lamp는 405nm와 460nm에서 두 개의 파장을 나타내고 있다. 405nm의 파장은 InGaN의 활성영역으로부터의 radiative recombination 때문에 나타나는 피크이다. 여기에서 나오는 405nm의 발광은 본 Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu 청색 형광체의 여기원으로 사용된다 460nm에서의 발광 밴드는 Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$ 모체내에서 Eu$^{2+}$ 이온의 radiative recombination에 의한 것이다. 발광효율이 좋은 Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu 청색 형광체를 이용하여 UV 청색 LED Lmp를 제조한 결과, 에폭시와 청색 형광체의 무게 비율이 1$.$0.202에서 가장 좋은 광도값을 얻을 수 있었다. 이때 색좌표는 CIE x=0.1417, CIE y=0.0683이었다.