나노선 연구에 있어서의 전자빔 식각기술의 응용

1948년 J. Bardeen 등에 의해 발명된 게르마늄 트랜지스터 이래로 반도체 공업은 숨 가쁘게 발전하여 현재는 $0.1\mu\textrm{m}$ 수준의 크기를 지나 $0.01\mu\textrm{m}$ 수준의 트랜지스터까지도 시연되고 있다［1,2］. 집적회로의 발전에는 대면적의 식각기술의 뒷받침과 끝임 없는 소재의 개발이 그 밑바탕이 되고 있어 앞으로의 발전에 있어서도 패턴닝 기술과 소재 기술은 다음 세대에도 반도체 산업발전의 원동력이 될 것임을 짐작해 볼 수 있다. (중략)