Abstract
The integrated voltage-controlled-oscillator(VOC) operating at 1.75 ㎓ is designed using the InGaP/GaAs HBT process. The proposed noise removal circuit and FR-4 substrate structure in this letter show the better characteristic of the phase noise and reduce the size of the VCO. The frequency tuning range of the VCO is about 200 ㎒ and the phase noise at 120 ㎑ offset is -119.3 ㏈c/㎐. The power consumption of the VCO core is 11.2 ㎽ at 2.8 V supply voltage and the output power is -2 ㏈m. The calculated figure of merit(FOM) is 191.7, which shows the best performance compared with the previous FET or HBT VCO.
InGaP/GaAs HBT공정을 이용하여 1.75 ㎓의 전압제어 발진기를 설계한다. 전압제어 발진기의 위상 잡음을 개선하기 위하여 저역 통과 필터의 특성을 가지는 새로운 잡음 제거 회로를 제안하고, 극 소형화를 위하여 FR-4 기판의 특수한 적층 구조를 이용한다. 제작된 전압제어 발진기의 주파수 변화 범위는 약 200 MHz이고, 위상 잡음은 120 KHz 옵?에서 -119.3 ㏈c/Hz이다. VCO 코어의 소비 전력은 공급 전원 2.8 V에서 11.2 ㎽이고, 출력 파워는 -2 ㏈m이다. FOM의 계산치는 191.7로써, 지금까지 발표된 FET나 HBT 전압제어 발진기보다 좋은 성능을 보인다. 완성된 전압제어 발진기의 크기는 3.266 mm ${\times}$ 3.186 mm로 극소형이다.