초록
GaAs PIN 다이오드를 이용하여 저손실 고출력 MMIC 리미터를 설계하고 제작하였다. 고전력 수용 능력을 증가시키기 위하여 새로운 GaAs PIN 다이오드 에피구조를 제안하였다. 2종류의 리미터 회로를 설계하고 그리미팅 전력을 측정하였다. 측정결과에서 리미팅 전력은 설계회로 토폴로지에 따라 달라졌다. 제작된 2단 리미터의 리미팅 전력은 14 ㎓에서 각각 17 ㏈m과 23 ㏈m으로 측정되었다.
Low loss and high power MMIC limiters with GaAs PM diode were designed and fabricated. The new epitaxial structure of GaAs PIN diode was proposed in order to increase the high power capability. 2 types of limiter circuits have been designed and the limiting powers have been measured. Results indicated that the limiting power was depended on the circuit topology. Limiting power levels of 2-stage limiters are measured 16 ㏈m and 22 ㏈m at 14 ㎓, respectively.
