Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Changes in Work Function after O-Plasma Treatment on Indium-Tin-Oxide

산소 플라즈마로 처리한 ITO(Indium-Tin-Oxide)에 대한 일함수 변화

  • 김근영 (광운대학교 전자물리학과) ;
  • 오준석 (광운대학교 전자물리학과) ;
  • 최은하 (광운대학교 전자물리학과) ;
  • 조광섭 (광운대학교 전자물리학과) ;
  • 강승언 (광운대학교 전자물리학과) ;
  • 조재원 (광운대학교 전자물리학과)
  • Published : 2002.09.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

The change in work function was studied on Indium-Tin-Oxide(ITO) surface after O-plasma treatment using $\gamma$-Focused ion Beam($\gamma$-FIB). As the surface of ITO experienced more O-plasma treatment, both the surface resistivity and the work function got higher. Auger Electron Spectroscopy identified the increase of oxygen as well as the decrease of Sn. The rise of work function and surface resistivity is considered to be due to the change in oxygen and Sn on the surface of ITO.

Indium-Tin-Oxide(ITO)에 대해 산소 플라즈마 처리를 한 후 일함수에 대한 변화를 $\gamma$-집속 이온빔을 사용하여 조사하였다. ITO의 표면이 산소 플라즈마 처리를 보다 많이 경험할수록 표면저항이나 일함수는 높아졌다. Auger 전자 분광법을 이용해 표면의 화학적 분석을 해본 결과 산소는 증가한 반면 주석은 감소하였다. 표면 일함수와 표면 저항의 증가는 ITO 표면에서의 산소와 주석의 변화와 관계가 있는 것으로 여겨진다.

Keywords

References

  1. J. Electrochem. Soc. v.12 J. C. C. Fan;F. J. Bachner
  2. J. Appl. Phys. v.60 I. Hamburg;C. G. Granqvist https://doi.org/10.1063/1.337534
  3. App. Phys. Lett. v.51 C. W. Tang;S. A. VanSlyke https://doi.org/10.1063/1.98799
  4. Handbook of Liquid Crystal Research S. Kobayashi;H. Hori;Y. Tanaka;P.J. Collings(ed.);J.S. Patel(ed.)
  5. Appl. Phys. Lett. v.48 C. W. Tang https://doi.org/10.1063/1.96937
  6. J. Appl. Phys. v.75 I. D. Parker https://doi.org/10.1063/1.356350
  7. Appl. Phys. Lett. v.70 F. Li;H. Tang;J. Shinar;O. Resto;S. Z. Weisz https://doi.org/10.1063/1.119008
  8. Synth. Mat. v.91 K. Furukawa;Y. Terasaka;H. Ueda;M. Matsumura https://doi.org/10.1016/S0379-6779(97)03986-6
  9. Appl. Phys. Lett. v.70 C. W. Wu;C.I. Wu;J.C. Strum;A. Kahn https://doi.org/10.1063/1.118575
  10. Appl. Phys. Lett. v.74 J. S. Kim;R. H. Friend;F. Lacialli https://doi.org/10.1063/1.124069
  11. Appl. Phys. A : Mater. Sci. Process v.68 S. K. Ko;W. K. Choi;C.H. Cheng;L.M. Leung;C. F. Kwong https://doi.org/10.1007/s003390050921
  12. Opt. Mater. v.9 S. F. J. Appleyard;M. R. Willis https://doi.org/10.1016/S0925-3467(97)00110-9
  13. J. Appl. Phys. v.86 E. H. Choi;J. Y. Lim;Y. G. Kim;J. J. Ko;D. I. Kim;C.W. Lee;G. S. Cho https://doi.org/10.1063/1.371618
  14. Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. v.26 N. N. Petrov
  15. J. Appl. Phys. v.87 D. J. Milliron;I. G. Hill;C. Shen;A. Kahn;J. Schwartz https://doi.org/10.1063/1.371901
  16. Appl. Phys. Lett. v.78 H. Y. Yu;X. D. Feng;D. Grozea;Z. H. Lu;R. N. S. Sodhi;A. M. Hor;H. Aziz https://doi.org/10.1063/1.1367897