초록
본 논문에서는 PECVD 장비를 이용하여 PHEMT 소자의 passivation 막으로 사용되는 Si₃N₄박막의 특성을 최적화하고, 0.25 ㎛급 PHEMT 제작에 적용하였다. 제작된 PHEMT(60 ㎛×2 fingers)의 소자 특성을 측정한 결과, passivation 후 드레인 포화전류와 최대 전달 컨덕턴스는 passivation 전보다 각각 2.7% 와 3%씩 증가하였으며, 전류이득 차단 주파수는 53 ㎓, 최대 공진 주파수는 105 ㎓ 였다.
In this paper, high quality silicon nitride film is achieved using Plasma Enhanced Chemical Deposition(PECVD) system, and applied in passivating PHEMT's. Passivated PHEMT's(60 ${\mu}{\textrm}{m}$$\times$2 fingers) showed an increase of 2.7 % and 3 % in the drain saturation current and the maximum transconductance, respectively. The current gain cut-off frequency of 53 ㎓ and maximum oscillation frequency of 105 ㎓ were obtained from the fabricated PHEMT's.
