Abstract
The photosensitivity enhancement of photoresist achieved by the addition of acid amplifiers stems from the autocatalytic decomposition of the acid amplifiers triggered by acidic species generated from a photoacid gen-erator. In this research we synthesized and evaluated 4-hydroxy-4'-p-styrenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohex-ane(1), 4,4'-di-p-styrenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane(2) and 4-p-styrenesulfonyloxy-4'-tosyloxy isopropylidene dicyclohexane(3) as novel acid amplifiers. These acid amplifiers(1-3) showed reasonable thermal stability for resist pro-cessing temperature. As estimated by the sensitivity curve, 1-3 were 2X-12X sensitive than poly(tert-butyl meth-acrylate) film in the presence of a photoacid generator and, therefore, provides practical applicability for photoimaging.
포토레지스트의 감도 증진은 광산 발생제로부터 발생되는 산에 의해 자동촉매분해가 일어나는 산 증식제를 화학 증폭형 포트레지스트에 첨가함으로써 얻을 수 있다. 본 연구에서는 이소프로필리덴 디시클로헥산올의 p스티렌술폰산 유도체를 산 증식제로 합성되고 그 성능을 평가하였다. 이러한 산 증식제로 합성한 4-hydroxy-4`-p-styrensulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane(1), 4,4`-di-styrenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane(2) 그리고 4-p-styrene-sulfonyloxy-4`-tosyloxy isopropylidene dicyclohexane(3)는 레지스트 공정온도에 대하여 충분한 열적 안정성을 나타내었다. 또한 이러한 산 증식제를 사용한 경우에 광산 발생제만 사용한 poly(tert-butyl methacrylate)film에 비교하여 2배에서 12배 정도의 감도 증진이 일어나 광화상 제조에 실용적으로 응용 할 수 있음을 확인하였다.