폴리아닐린을 이용한 발광소자 연구

Light Emitting Diodes Based on Polyaniline

  • 김은옥 (수원대학교 자연과학대학 화학과) ;
  • 박수범 (수원대학교 자연과학대학 화학과) ;
  • 허석 (삼화전기 주식회사) ;
  • 이성주 (랩솔루션,NKIC)
  • 발행 : 20010400

초록

여러 가지 산화상태의 폴리아닐린을 화학적으로 합성하여 FT-IR, UV-Vis, GPC, TG-DTA로 측성 분석하였다. ITO 기관위에 다양한 산화상태의 LEB-PAN/NMP 용액으로 스핀코팅하고, AI 전극을 진공증착하여 단일층 발광다이오드를 제작하고 I-V 특성과 EL 스팩트럼에서 완전환원형인 LEB 함량이 증가할수록 ${\pi}$-${\pi}$* 전이의 장파장이동과 분자 엑시톤 전이 세기가 감소하고 PL과 EL 세기가 증가하는 것을 확인하였다. ITO/LEB/AI 구조의 LED에서 작동 전압은 5V 이었다. 백색광은 단지 폴리아닐린의 환원형 구조에서만 발광하는 것을 확인하였다.

Various oxidation states of Polyaniline(PANI) were chemically synthesized, and characterized by FT-IR, UV-Vis, GPC, TG-DTA, Single layer light emitting diodes(LED) were perpared by spin coating of LEB-PANI solutions which have various oxidation states onto an ITO substrate and subsequent vacuum deposition of aluminum top electrode and then current-voltage characteristics. EL spectrum was investigated It was found that ${\pi}$-${\pi}$* transition were shifled to longer wavelength and molecular excition transition were decreased in the UV-Vis spectra and the intensity of EL and PL were increased as the contents of fully reduced form LEB increased. The turn-on voltage of ITO/LEB/AI structured LED was 5 V. It was found that the white light was emitted only from the phase with reduced epeat unit.

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참고문헌

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