A study on New Non-Contact MR Current Sensor for the Improvement of Reliability in CMOS VLSI

CMOS회로의 신뢰도 향상을 위한 새로운 자기저항소자 전류감지기 특성 분석에 관한 연구

As the density of VLSI increases, the conventional logic testing is not sufficient to completely detect the new faults generated in design and fabrication processing. Recently. IDDQ testing becomes very attractive since it can overcome the limitations of logic testing. This paper presents a new BIC for the internal current test in CMOS logic circuit. Our circuit is composed of Magnetoresistive current sensor, level shifter, comparator, reference voltage circuit and a circuit be IDDQ tested as a kind of self-testing fashion by using the proposed BIC.

VLSI의 집적도가 증가함에 따라 설계와 제조과정에서 기존의 논리 테스트 방법으로는 검출하기 어려운 고장들이 발생하고 있다. 최근에는 이러한 고장을 검출하기 위한IDDQ 테스팅 방법의 중요성이 증대되고 있다. 본 논문에서는 CMOS 회로내에서 IDDQ 값을 검사하여 고장의 유무를 검사하는 전류 테스팅 기법에 사용될 수 있는 새로운 전류감지기를 제안한다. 본 논문에서 제안된 전류감지기는 자기저항 소자 MR 전류감지기, 레벨변환기, 비교기로 구성되어 있으며 자동으로 고장을 검출할 수 있다.