Abstract
InAs/GaAs quantum dots between InGaAs/GaAs superlattices were grown by MBE. The quantum dots size is shown to be very uniform by measuring photoluminescence spectra of quantum dots. Single photon structures based on self-consistent calculation were grown and single photon devices were fabricated by e-beam lithography. The electrical hystereses of I-V curves for single Photon devices would result from single electron-hole recombination, where the resonant-tunneling voltages of electron and hole are different.
InGaAs/GaAs 초격자 구조들 사이에 InAs/GaAs 양자점을 MBE로 성장하고 광특성을 측정한 결과 매우 균일한 양자점을 얻을 수 있었다. Self-consistent한 이론 계산으로부터 얻은 p-i-n 구조의 최적 조건으로 단일광자구조를 성장하고 단일광자소자를 e-beam lithography를 이용하여 제작하였다. 전기적 특성인 I-V곡선에서 나타난 전기 이력현상으로부터 단일 전자와 단일 정공이 다른 전압에서 투과하여 단일 전자-정공 재결합 현상이 나타나고 있음을 확인하였다.
