Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD (대한전자공학회논문지SD)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Studies on the MIMIC Power Amplifier using the AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT

AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT를 이용한 MIMIC Power Amplifier 제작 연구

  • Lee, Seong-Dae (Dept.of Electronic Engineering Dongguk University) ;
  • Chae, Yeon-Sik (Dept.of Electronic Engineering Dongguk University) ;
  • Yun, Yong-Sun (Dept.of Electronic Engineering Dongguk University) ;
  • Yun, Jin-Seop (Dept.of Electronic Engineering Dongguk University) ;
  • Lee, Eung-Ho (Dept.of Electronic Engineering Dongguk University) ;
  • Lee, Jin-Gu (Dept.of Electronic Engineering Dongguk University)
  • 이성대 (동국대학교 전자공학과) ;
  • 채연식 (동국대학교 전자공학과) ;
  • 윤용순 (동국대학교 전자공학과) ;
  • 윤진섭 (동국대학교 전자공학과) ;
  • 이응호 (동국대학교 전자공학과) ;
  • 이진구 (동국대학교 전자공학과)
  • Published : 2001.01.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

0.35 ${\mu}{\textrm}{m}$-gate AlGaAs/InGaAs PHEMTs have been fabricated using electron beam lithography. DC and AC characteristics of PHEMTs having different gate widths and number of fingers were measured at various bias conditions. An MIMIC power amplifier operating at 35 GHz has been designed and fabricated using passive element library. The power amplifier showed gain and input reflection coefficient of 7.9 ㏈ and -15 ㏈, respectively, at 27.6 GHz.

본 논문에서는 전자선 묘화 방법을 이용하여 게이트 길이가 0.35 ㎛인 AlGaAs/InGaAs PHEMT를 제작하였다. 다른 게이트 폭과 게이트 핑거 수를 갖도록 제작된 PHEMT의 DC 및 AC 특성은 여러 가지의 바이어스 조건에서 측정하였다. 또한, 제작된 PHEMT와 수동 소자의 라이브러리를 이용하여 35 GHz에서 동작 가능한 MIMIC 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제작된 MIMIC 전력증폭기는 27.6 GHz에서 7.9㏈의 이득과 -15 ㏈의 입력 반사 계수를 나타내었다.

Keywords

References

  1. Dwight C. Streit, et al., 'High-Gain W-Band Pseudomorphic InGaAs Power HEMT's,' IEEE Electron Devices Letters, Vol. 12, NO. 4, pp. 149-150. April 1991 https://doi.org/10.1109/55.75746
  2. John C. Huang, et. al., 'A double-recessed A10.24GaAs/In0.16GaAs Pseudomorphic HEMT for Ka- and Q-band Power Applications,' IEEE Electron Devices Letters, VOL. 14, NO. 9, pp. 456-458. September 1993 https://doi.org/10.1109/55.244708
  3. P. Bourne, et. al., '35 GHz And 60 GHz Low Noise HEMT MIMIC amplifiers For Civil Applications,' IEEE MTT-S Digest, pp. 1613-1616.1992
  4. S. Weinreb, et. al, 'W-Band 0.3 W PHEMT MIMIC Power Amplifier Module,' IEEE 1995 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits symposium, 1995
  5. T. H. Chen, et. al, '0.1 Watt Q-band Class A Pseudomorphic HEMT MMC Amplifier', IEEE MTT-S Digest, pp. 805-808. 1994
  6. A K Sharma, et. al, 'MILLIMETER-WAVE HIGH POWER AMPLIFIERS USING PSEUDOMORPHIC HEMTS', IEEE MTT-S Digest, pp. 813-816. 1994 https://doi.org/10.1109/MWSYM.1994.335232
  7. Dong-Ho Jeong, et. al, 'DC and AC characteristics of AlGaAs/GaAs quantum-well delta-doped channel FET grown by LP-MOCVD,' IEEE Electron Devices Letters, vol. 13, no. 5, May, 1992
  8. 전병철, 이진구외, '전자산 묘화를 이용한 0.2um의 게이트 갖는 MMIC용 wide-head T-gate 제작', 전자공학회 추계학술대회 논문집, pp. 187, 1999년 11월
  9. 이진구 외, '열적 증착법을 이용한 Air-Bridge 제작과 그 응용에 관한 연구', 대한전자공학회지 제 33권 A편, PP.53-58, 1996년 12월
  10. 대한전자공학회지 v.33권 열적 증착법을 이용한 Air-Bridge제작과 그 응용에 관한 연구 이진구(외)