IMT-2000 기지국용 저잡음 증폭기의 설계 및 제작

Design and Implementation of a Low Noise Amplifier for the Base-station of IMT-2000

TMT-2000 기지국용 3단 저잡음 증폭기를 설계하고 제작한다. 첫째 단에서의 증폭소자는 잡음특성이 좋은 GaAs HJ-FET를 사용하고, 둘째 및 셋째 단에는 이득과 출력전압이 높은 값을 갖도록 하기 위해 모노리딕(monolithic) 마이크로웨이브 집적회로를 사용한다. 또한 입력 정재파비를 낮추기 위해서 평형증폭기를 사용하는데, 이 평형증폭기의 위상차로 인한 잡음지수를 최소화하기 위해서 첫째 단에만 제한적으로 사용한다. 제작된 증폭기는 동작 주파수에서 이득 39.74$\pm$0.4dB, 최대잡음지수 0.97dB, 입.출력 정재파비 1.2 이하 및 OIP$_3$ 특성은 38.17dBm을 나타낸다.

A three-stage low noise amplifier(LNA) for the Base-station of the IMT-2000 is designed and implemented. In the first stage, a GaAs HJt-FET which has good noise characteristics is made use of. Monolithic microwave integrated circuits(MMICS) are used in the second and the third stage to achieve both the high gain and high output power. Although the balanced amplifier is used to reduce the input VSWR, it is done only in the first stage because we have to minimize the noise figure attributed to the phase difference of the balanced amplifier. It is shown that the implemented LNA has the gai over 39.74dB, the gain flatness less than ±0.4dB, the noise figure below 0.97dB, input and output VSWRs less than 1.2, and OIP₃(output third order intercept point) of 38.17dBm in the operating frequency range.