Journal of the Microelectronics and Packaging Society (마이크로전자및패키징학회지)
- Volume 8 Issue 2
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- Pages.15-18
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- 2001
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Study on the Evaluation for the Property of Mo-Si Multilayers
Mo/Si 다층박막의 특성 평가에 관한 연구
Abstract
The Mo/si multilayer for EUV lithography was deposited using magnetron sputtering system. The multilayers were characterized using the cross-sectional transmission electron microscope (TEM) and low/high angle X-ray diffraction (XRD). The microstructure of Mo and Si was highly textured structure and amorphous, respectively. The well-defined low angle XRD peaks implies a well-defined multilayer structure. The interfacial layer of Mo-on-Si was thicker than Si-on-Mo interfacial layer.
Magnetron sputtering 장비를 이용하여 극자외선 노광 공정용 Mo/Si 다층 박막을 증착하였다. 증착 파워로는 Mo의 경우 DC파워를, Si의 경우 RF파워를 이용하였다. 각각의 target에 인가되는 DC 또는 RF 파워의 시간 및 파워 조절을 통해서 원하는 구조인자를 가진 다층박막을 증착하였다. 증착된 다층박막을 단면 TEM, low/high angle XRD 등을 이용하여 박막의 미세구조와 interfacial layer의 거동을 살펴 보았으며, low angle XRD로부터 다층박막을 간접적으로 평가할 수 있었으며, 단면 TEM으로부터 Si위에 형성되는 Mo의 interfacial layer가 Mo위에 형성되는 경우보다 두꺼운 것을 알 수 있었다.
Keywords