Electrical Properties of PZT Thin Films Deposited on the Ru/$RuO_2$ Metal/Oxide Hybrid Electrodes

Ru/$RuO_2$ 금속/산화물 이중전극 위에 증착한 PZT 박막의 전기적 특성

  • 정규원 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) ;
  • 박영 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) ;
  • 송준태 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부)
  • Published : 2001.04.01

Abstract

PZT thin films (3500$\AA$) have been prepard on the Ru/Ru $O_2$ and Ru $O_2$ bottom electrodes with a RF magnetron sputtering system using P $b_{1.05}$(Z $r_{0.52}$, $Ti_{0.48}$) $O_3$ ceramic target. Ru/Ru $O_2$ bottom electrode was fabricated by in-situ processing controlled the $O_2$ partial pressure. The PZT thin films deposited on the Ru/Ru $O_2$ bottom electrode were preferred oriented (101) plane. The PZT thin films deposited on the Ru/Ru $O_2$ bottom electrodes showed better electrical properties than those with Ru $O_2$ bottom electrodes because Ru $O_2$ prevented oxygen vacancies and impurities from existing withing the interface and substrate.e.

Keywords

References

  1. Integrated Ferroelectrics v.1 Advances in processing and properties of perovskite thin films for FRAMs, DRAMs, and decoupling capacitors S. K. Dey;C. K. Barlingay(et. al.)
  2. J. Korean Ceramic Society v.31 no.8 스퍼터링에 의해 제조된 PZT 박막에 있어서 Ta 첨가 효과 길덕신;주재현;주승기
  3. Integraed Ferroelectrics v.7 Characterization of PZY films grown by MOCVD on 6-8 inch Si wafers Tadashi Shiosaki;Masaru shimizu;Masayoshi Kinoshita
  4. 전기전자재료학회논문지 v.12 no.5 Ar/O₂비에 따른 BST 박막의 전기적 특성 신승창;이문기;정장호;배선기;이영희
  5. 한국전기전자재료학회지 v.12 no.5 SOL-GEL법에 의한 PbTiO₃박막의 제조 및 유전 특성 정장호;이문기;류기원;최형욱;이영희
  6. 전기전자재료학회논문지 v.13 no.1 PLD법에 의해 제조된 SBT박막의 구조 및 전기적 특성 마석범;오형록;김성구;장낙원;박창엽
  7. 전기전자재료학회논문지 v.13 no.1 PLD법에 의한 고집적 DRAM용 PLZT박막의 레이저에너지 밀도에 따른 특성 마석범;장낙원;백동수;최형욱;박창엽
  8. Integrated Ferroelectrics v.6 Study on gradual reversal of polarization in ferroelectric PZT thin films for adaptive-learnng MFSFET applications N. Tanisake(et. al.)
  9. Integrated Ferroelectrics v.4 Preparation and properties of sol-gel derived PZT thin films for decoupling capacitor applications R. W. Schwartz(et. al.)
  10. Jpn. J. Appl. Phys. v.36 Investigation of Pt/Ti bottom electrde for Pb(Zr, Ti)O₃films Kim, Sung-Tae;Kim, Hyun-Ho;Lee, Moon Young;Lee, Won Jong
  11. 요업재료의 과학과 기술 v.9 no.6 고유전율 박막재료의 ULSI-DRAM에서의 응용현황과 전망 황철성
  12. Integrated Ferroelectrics v.3 Electrodes for ferroelectric thin films H. N. Al-Shareef;K. D. Gifford;S. H. Rou;P. D. Hren;O. Auciello;A. I. Kingon
  13. DRAM Storage Capacitor용 고유전율 박막을 위한 Pt 하부전극에 관한 연구 차선용
  14. Jpn. J. Appl. Phys. v.36 Structural and electrical properties of $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ films on Ir and IrO₂electrodes H. J. Cho;C. S. Kang;C. S. Hwang;J. W. Kim;G. Horu;B. T. Lee;S. I. Lee;M. Y. Lee
  15. Jpn. J. Appl. Phys. v.34 Electrical comparison of Sol-Gel derived lead zirconate titanate capacitors with Ir and Pt electrodes K. Aoki;Y. Fukuda;K. Numata;A. Nishmura
  16. 포항공과대학교 석사학위논문 DRAM용 RuO₂와 Pt 하부전극의 계면 안정성에 대한 연구 김유성
  17. 한양대학교 석사학위논문 강유전재료의 하부전극용 RuO₂박막의 제조와 물성 최재용
  18. Jpn. J. Appl. Phys. v.33 Preparation and properties of Ru and RuO₂thin film electrodes for ferroelectric thin films Hirochi Majwa
  19. Appl. Phys. Lett. v.64 no.22 High dielectric constant (Ba,Sr)TiO₃thin films prepared on RuO₂/Sapphire Koichi Takemura;Toshiyuki Sakuma;Yoichi Miyasaka
  20. Thin Solid Films v.345 no.2 Growth of (111)-oriented PZT on RuO₂(100)/Pt(111) electrodes by in-situ sputtering Maeder, T.;Muralt, P.;Sagalowicz, L.
  21. 성균관대학교 대학원 진기전자 컴퓨터공학과 석사학위논문 메모리 소자응용을 위한 강유전체 PZT박막 커패시터에 관한 연구 박영
  22. Journal of Mat. Res. Soc. v.14 no.3 The effect of RuO₂/Pt hybrid bottom electrode structure on the leakage and fatigue properties of chemical solution derived $Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3$ thin films Kim, Seung Hyun;Hong, J. G.;S. K. Streiffer;Angus I. Kingon
  23. 한국전기전자재료학회 추계학술대회논문집 강유전체 박막 캐페시터 하부전극에 관한 연구 임동건;정세민;최유신;김도형;이준신
  24. Jpn. J. Appl. Phys. v.36 Effect of excess Pb and substrate on crystallization processes of amorphous Pb(Zr,Ti)O₃thin films prepared by RF magnetron sputtering Yukio Fukuda;Katsuhiro Aoki