한국세라믹학회지 (Journal of the Korean Ceramic Society)

  • 제38권6호
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  • Pages.531-536
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  • 2001
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  • 1229-7801(pISSN)
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  • 2234-0491(eISSN)
한국세라믹학회 (The Korean Ceramic Society)
권호 표지

PECVD법에 의한 3C-SiC막 증착(I): 증착변수에 따른 SiC 증착거동

Deposition of 3C-SiC Films by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (I): Deposition Behaviors of SiC with Deposition Parameters

  • 김광호 (부산대학교 무기재료공학과) ;
  • 서지윤 (부산대학교 무기재료공학과) ;
  • 윤석영 (부산대학교 무기재료공학과)
  • 발행 : 2001.06.01
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초록

SiCl$_4$/CH$_4$/H$_2$계를 사용한 플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 실리콘(100) 기판 위에 3C-SiC막을 117$0^{\circ}C$~1335$^{\circ}C$의 온도범위에서 증착하였다. 증착온도, 유입가스비, R$_{x}$ [=CH$_4$/(CH$_4$+H$_2$)], 그리고 r.f. power를 변화시켜 증착막의 결정성에 대해 검토하였다. Thermal CVD에 비해 PECVD법은 박막의 증착속도를 향상시켰다. 증착된 3C-SiC은 (111) 면으로 최대의 우선배향성을 지님을 알 수 있었다. 실리콘 기판 위의 3C-SiC막의 결정성은 R$_{x}$값에 의존하였으며, R$_{x}$가 감소할수록 결정성이 더욱 향상되었다. Free Si가 3C-SiC막과 함께 증착되었으나, 증착온도와 r.f power가 증가함에 따라 free Si의 함량은 감소하였다. 증착온도 127$0^{\circ}C$, 유입가스비 R$_{x}$=0.04, r.f. power가 60W에서 비교적 결정성을 가진 3C-SiC막을 얻을 수 있었다.

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참고문헌

  1. IEEE EDL v.7 no.7 Experimental 3C-SiC MOSFET Y. Kondo;T. Takahashi;K. Ishii;Y. Hayashi;E. Sakuyama;S. Misawa;H. Daimon;M. Yamanaka;S. Yoshida
  2. Solid-State Electron v.15 Preparation and Properties of Vapour Phase Epitaxial Silicon Carbide Diodes G. Gramberg;M. Koniger
  3. Thin Solid Films v.341 β-SiC Thin Film Growth Using Microwave Plasma Activated CH₄-SiH₄Sources H. S. Kim;Y. J. Park;I. H. Choi;Y. J. Baik
  4. Polymorphism and Polytypism in Crystals R. Verma;P. Krishna
  5. J. Kor. Ceram. Soc. v.34 no.8 Interfacial Characteristics β-SiC Film Growth on (100) Si by LPCVD Using MTS D. J. Choi;J. W. Kim
  6. Thin Solid Films v.353 Excited Heliun-Induced CVD of $a-Si_{1-x}C_х$:H Films from Trimethylchlorosilane T. P. Smirnova;L. V. Yakovkia;B. M. Ayupov;I. P. Dolgpvesova;V. A. Nadolinn;V. N. Kitchay
  7. J. Kor. Ceram. Soc. v.30 no.1 Chemical Vapor Deposition of β-SiC by Pyrolysis of MTS and Effect of Excess C Sources B. J. Choi;B. O. Park;D. R. Kim
  8. J. Kor. Ceram. Soc. v.32 no.4 Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide by the Pyrolysis of Methylchlorosilanes B. J. Choi;D. W. Park;M. C. Cho;D. R. Kim
  9. Thin Solid Films v.272 High Mobility β-SiC Epilayer Prepared by Low-pressure Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition on a (100) Silicon Substrate J. D. Hwang;Y. K. Fang;Y. J. Song;D. N. Yaung
  10. J. Kor. Mat. Res. v.7 no.8 The Effect of Growth Parameters on Crystal Quality of 3C-SiC(111) Thin Film Y. H. Seo;K. C. Kim;K. K. Nahm;D. K. Kim;B. T. Lee
  11. Kor. J. Mat. Res. v.7 no.6 Growth and Analyses of 3C-SiC(111) Thin Films of Si(111) Substrate Using Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition Y. H. Seo;K. S. Nahm;Y. G. Hwang;E. K. Suh;H. J. Lee
  12. J. Mat. Science v.30 no.10 Growth Characteristics of Chemical Vapor Deposited β-SiC on a Graphite Substrate by the $SiCl_4/C_3H_8/H_2$ System T. T. Lin;M. H. Hon
  13. Surf. Sci. v.364 Reaction Kinetics of H₂O with Chlorinated Si(111)-(7×7) and Porous Silicon Surfaces M. L. Wise;O. Sneh;L. A. Okada;S. M. Geroge
  14. Thin Solid Films v.283 Room-temperature Deposition of a SiC:H Thin Films by Ion-assisted Plasma-enhanced CVD D. S. Kim;Y. H. Lee
  15. Surf. Sci. v.341 no.3 The Adsorption of Hydrogen Chloride on Polycrystalline-silicon Carbide M. T. Schulberg;M. D. Allendorf;D. A. Outka