Journal of the Korean Electrochemical Society (전기화학회지)
- Volume 4 Issue 1
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- Pages.10-13
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- 2001
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- 1229-1935(pISSN)
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- 2288-9000(eISSN)
DOI QR Code
Effects of Surfactant PDFO on Photoluminescence of Porous Silicon
다공질 실리콘의 광발광에 관한 계면활성제 PDFO 효과
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Kim Buem-Suck
(Department of Material Chemistryl Korea University) ;
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Yoon Jeong-Hyun
(Department of Material Chemistryl Korea University) ;
- Bae Sang-Eun (Department of Material Chemistryl Korea University) ;
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Lee Chi-Woo
(Department of Material Chemistryl Korea University) ;
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Oh Won-Jin
(Korea Atomic Energy Research Institute) ;
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Lee Geun-Woo
(Korea Atomic Energy Research Institute)
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김범석
(고려대학교 대학원 소재화학과) ;
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윤정현
(고려대학교 대학원 소재화학과) ;
- 배상은 (고려대학교 대학원 소재화학과) ;
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이치우
(고려대학교 대학원 소재화학과) ;
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오원진
(한국원자력연구소) ;
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이근우
(한국원자력연구소)
- Published : 2001.02.01
Abstract
Effects of an anionic surfactant pentadecafluorooctanoic acid on the photoluminescence of porous silicon was investigated, which was prepared by photoelectrochemical etching at 4V of single crystalline n-type silicon (100) with the specific resistivity of
광전기화학적 양극 산화법으로 다공질 실리콘 (porous silicon, PS)을 제조할 때 전해질에 음이온성 계면활성제의 한 종류인 Pentadecafluorooctanoic acid (PDFO)를 첨가하여 제조한 PS의 광발광(photoluminescence, PL)의 변화를 조사하였다. 사용한 웨이퍼는 비저항이