전자통신동향분석 (Electronics and Telecommunications Trends)

제15권6호통권66호
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Pages.113-117
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2000
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1225-6455(pISSN)

한국전자통신연구원 (Electronics and Telecommunications Research Institute)

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Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향

Technology Trend of Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT Devices

윤형섭 (초고주파소자팀) ;
이진희 (초고주파소자팀) ;
이경호 (초고주파소자팀)

발행 : 2000.12.15

https://doi.org/10.22648/ETRI.2000.J.150613 인용 PDF

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초록

본 고에서는 MHEMT(Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT) 구조의 특성, MHEMT 소자특성, MHEMT MMIC 결과와 향후의 기술동향을 논의한다.

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