Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering (한국정보통신학회논문지)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Fabrication of InP-Based Microstructures for III- V Compound Semiconductor Micromachining

III-V 화합물 반도체 마이크로머시닝을 위한 InP를 기반으로 한 미세구조의 제조에 관한 연구

  • 심준환 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
  • 노기영 ((주)삼성전자) ;
  • 이종현 (경북대학교 전자전기공학과) ;
  • 황상구 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
  • 홍창희 (한국해양대학교 전자통신공학과)
  • Published : 2000.12.01
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Abstract

In this paper, we report a fabrication of InP-based microstructurs for III-V compound semiconductor micromachining. Vertical liquid phase epitaxy(LPE) system was used in order to grow the InP/lnGaAsP/InP layers. The thicknesses of InP top-layer and InGaAsP were $1\mum \;and \;0.4\mum$, respectively. The fabrication of InGaAsP microstructures involves front-side bulk micromachining. The experimental result showed the beams must be carefully aligned in the <100> direction since the etching of the beam in the <100> direction is more faster than that of the beam in the <110> and <110> direction.

본 논문에서는 III-V 화합물 반도체 마이크로머시닝을 위한 InP를 기반으로한 미세구조의 제조에 관하여 보고한다. InP/InGaAsP/InP 구조를 성장시키기 위하여 수직 LPE 시스템을 사용하였다. 성장된 InGaAsP층의 두께는 $0.4\mum$이고, InP top-layer의 두께는 $1\mum$이었다. InGaAsP 미세구조의 제조는 front-side 벌크 마이크로 머시닝으로 이루어졌다. 실험결과에서 <100> 방향으로 놓인 빔의 에칭이<110>와 <110> 방향에서의 에칭보다 더 빠르기 때문에 빔은 <100> 방향으로 정렬되어야 함을 보였다.

Keywords