대한전자공학회논문지SD (Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

고밀도 플라즈마를 이용한 PZT용 Pt/RuO$_{2}$ 이중박막의 식각

Dry Etching of Pt/RuO$_{2}$ for Pb(Zr,Ti)O$_{3}$ by High Density Plasma

  • 이종근 (인하대학교 전자재료공학과) ;
  • 박세근 (인하대학교 전자재료공학과)
  • 발행 : 2000.03.01
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초록

나선형태의 평면 안테나를 갖는 유도결합형 플라즈마를 이용하여 PZT용 Pt/RuO/sub 2/ 전극을 건식식각하였다. 누설전류 억제특성이 우수한 Pt와 건식식각이 용이한 RuO/sub 2/ 박막의 장점을 동시에 이용하기 위하여 PZT의 하부전극으로 Pt/RuO/sub 2/의 2중층을 시도하였다. 우선 Pt와 RuO/sub 2/ 박막 각각에 대하여 플라즈마의 여러 조건에 따라 식각율과 선택비를 조사하였다. 조사된 공정기체는 O/sub 2/ 와 Cl/sub 2/ 의 혼합기체이며, 패터닝을 위해 사용한 마스크재료는 SiO/sub 2/ 산화막이었다. Cl/sub 2/ 의 함량이 증가함에 따라 Pt의 식각율은 점점 증가하지만, RuO/sub 2/의 경우에는 Cl/sub 2/의 함량이 처음 10% 정도가지 증가할 때에는 RuO/sub 2/의 식각율이 급격히 증가하지만 더 이상의 Cl/sub 2/ 함량에서는 식각율이 점차 감소하였다. Pt/RuO/sub 2/의 2중층을 동시에 식각하기 위한 최적의 기체혼합비를 구하였으며, 0.5 마이크론급의 미세패터닝을 시도하였다.

Inductively coupled plasma (ICP) excited by a spiral planar antenna is used to etch elctrodes for PZT capacitors. Pt/RuO$_{2}$ bilayers are tested as bottom electrodes for PZT capacitors in order to utilize better leakage characteristics of Pt and easy etch characteristics of RuO$_{2}$ at the same time. The etch rates and selectivities to SiO$_{2}$ hard mask have been measured for each of Pt and RuO$_{2}$ in terms of various plasma conditions. As Cl$_{2}$ ratio increases in $O_{2}$/Cl$_{2}$ mixture, the etch rate of Pt increases while that of RuO$_{2}$ reaches the highest near 10 ％ of Cl$_{2}$. Optimum gas mixture ratio has been determined for etching Pt and RuO$_{2}$ bilayers sequentially, and sub-half micron patterning is demonstrated.

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참고문헌

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