Abstract
We demonstrate self-starting passIve mode locking of a Cr:LiSAF laser, using a SCIDlconduclor Saturable Absorber Mirror (SESAM), Two high-power red semiconductor lasers (Coherent S-67-500C-100-H) of wavelength 667 nm and maximum power of 500 mW were used as pump lasers, The cavity has 10 cm radius-ai-curvature folding minors, two SF 10 prisms, a 99% reflectivity output coupler and a SESAM at dIe focus of a 10 cm radIus-at-curvature mirror. We used the laser crystal in BrewsterBrewster shape with 1 5% $Cr^{+3}$ ion concentration and the length of 6 mm, An X-shaped resonator was used to compensate the astigmatism induced by tile crystal. The structure of the SESAM cOllSists of 30 pmr of $AlAs/Al_{0.15}Ga_{0.85}As$ layer, wi1l1 a 10 nm GaAs quantum well situated in the topmost layer Output spectra were centeled at 833 nm, with 4 nm spectral bandwidth and pulse width was measured to be 220 fs, Output power of 3 mW is obtained at a pump power of 800 mW. 00 mW.
반도체 포화 흡수거울 (Semiconductor Saturable Absorber Mirror:SESAM)을 이용하여 Cr:LiSAF 레이저를 제작하고 이를 모드록킹 시켰다. 펌핑 레이저는 파장이 667 nm이고, 출력이 500mW인 두 대의 고출력 레이저(Coherent S-67-500C-100-H)가 사용되었으며, 레이저 결정은 Brewster-Brewster 모양인 $Cr^{+3}$의 농도가 1.5%이고 길이가 6mm인 것을 사용하였다. 공진기는 X-형 구조로, 곡률반경이 10cmdls 오목거울과, 군속도 보상을 위한 SF10 프리즘, 투과율이 1%의 출력거울을 사용하였다. 포화흡수체로 사용되는 SESAM의 구조는 맨위층에 10nm의 $AlAs/Al_{0.15}Ga_{0.85}As$ 양자우물과 30쌍의 $AlAs/Al_{0.15}Ga_{0.85}As/GaAs/Al_{0.15}Ga_{0.85}As$반사경으로 구성되어 있다. 펌핑 레이저의 출력이 800mWdlfEo 레이저 출력은 3mW였고, 중심파장은 833nm이었으며 스펙트럼 대역폭은 4nm, 레이저 펄스폭은 220fs 였다.