Korean Journal of Optics and Photonics (한국광학회지)

Optical Society of Korea (한국광학회)
권호 표지

The preparation of ${SiO_x}{N_y}$ thin films by reactive RF sputtering method

고주파 반응성 스퍼터링법에 의한 ${SiO_x}{N_y}$ 박막의 제작

  • 조승현 (한국통신 가입자망연구소) ;
  • 최영복 (한국통신 가입자망연구소) ;
  • 김덕현 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 정성훈 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 문동찬 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 김선태 (대전산업대학교 재료공학과)
  • Published : 2000.02.01
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Abstract

The SiOxNy thin films were prepared on Si(lOO) by reactive RF sputtering method. The reactive gas ratio and the power were used as parameters for depositing SiOxNy thin fims. The properties of ${SiO_x}{N_y}$ thin tilms were investigated by XRD, XPS, refractive index and extinction coefficient analyzer (n'||'&'||'k analyzer), and FfIR. It was found by the results of the x-ray diffraction measurement that SiOxNy thin films were grown to an amorphous structure. From the results of the XPS, and the n'||'&'||'k analyzer, it was found that refractive index was intended to increase with the increasement of the relative nitrogen contents of the ${SiO_x}{N_y}$ thin films.

Si(100) 위에 RF 스퍼터링법으로 SiOxNy 박막을 제작하였다. 제작 조건은 반응 가스 비율에 따른 증착율과 RF 출력으로 하였다. XRD, XPS, n&k analyzer 그리고 FTIR로 SiOxNy 박막의 특성을 조사하였다. XRD 측정결과 ${SiO_x}{N_y}$ 박막은 비정질이었으며, XPS와 n&k analyzer 측정 결과 ${SiO_x}{N_y}$ 박막의 질소성분이 증가할수록 굴절률은 증가함을 알 수 있었다.

Keywords

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