전자공학회논문지C (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C)
- 제36C권9호
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- Pages.54-65
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- 1999
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- 1226-5853(pISSN)
MOSFET 특성에 기초한 CMOS 디지털 게이트의 최대소모전력 예측모델
Maximum Power Dissipation Esitimation Model of CMOS digital Gates based on Characteristics of MOSFET
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Kim, Dong-Wook
(Department of Electronic Engineering, Kwangwoon Univ.) ;
- Jung, Byung-Kweon (Department of Electronic Engineering, Kwangwoon Univ.)
- 발행 : 1999.09.01
초록
집적도 및 동작속도의 증가에 따라 설계과정에서 전력소모를 예측하는 것이 TTM(time to market)의 감소를 위해 중요한 문제로 대두되고 있다. 본 논문에서는 CMOS 게이트의 최대소모전력을 예측할 수 있는 예측모델을 제안하였다. 이 모델은 최대소모전력에 대한 계산모델이며, CMOS 게이트를 구성하는 MOSFET 및 게이트의 동작특성, 그리고 게이트의 입력신호 특성을 포함하여 형성하였다. 모델의 설정 절차로는, 먼저 CMOS 인버터에 대한 최대소모전력 예측모델을 형성하고, 다입력 CMOS 게이트를 CMOS 인버터로 변환하는 모델을 제안하여, 변환모델로 변환된 결과를 인버터의 최대소모전력 예측모델에 적용하는 방법을 택함으로서 일반적인 CMOS 게이트에 적용할 수 있도록 하였다. 제안된 모델을
As the integration ratio and operating speed increase, it has become an important problem to estimate the dissipated power during the design procedure to reduce th TTM(time to market). This paper proposed a prediction model for the maximum dissipated power of a CMOS logic gate. This model uses a calculating method. It was constructed by including the characteristics of MOSFETs, the operational characteristics of the gate, and the characteristics of the input signals. As the construction procedure, a maximum power estimation model for CMOS inverter was formed first, And then, a conversion model to convert a multiple input CMOS gate into a corresponding CMOS inverter was proposed. Finally, the power model for inverter was applied to the converted result so that the model could be applied to a general CMOS gate. We designed several CMOS gates in layout level with
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