한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)
- 제9권12호
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- Pages.1216-1221
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- 1999
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- 1225-0562(pISSN)
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- 2287-7258(eISSN)
유전체장벽방전에 의한 질소함유 활성종의 개발 및 저온 GaN 박막 성장
Development of Atomic Nitrogen Source Based on a Dielectric Barrier Discharge and Low Temperature Growth GaN
- Kim, Joo-Sung (Dept. of Materials Science and Engineering, Korea University) ;
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Byun, Dong-Jin
(Dept. of Materials Science and Engineering, Korea University) ;
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Kim, Jin-Sang
(Korea Institute of Science and Technoloyg) ;
- Kum, Dong-Wha (Korea Institute of Science and Technoloyg)
- 발행 : 1999.12.01
초록
TMGa와 유전체 장벽방전에 기초한 질소함유 활성종을 이용하여 (0001) 사파이어 기판위에 GaN 박막을 저온에서 성장시켰다. III-V 질소화합물 반도체의 에피막 성장에 있어서 암모니아는 유기금속 화학증착법에서 지금까지 알려진 가장 보편적인 질소 공급원이며 충분한 질소공급을 위해
GaN films were deposited on sapphire [
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