Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering (한국정보통신학회논문지)
- Volume 3 Issue 3
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- Pages.681-686
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- 1999
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- 2234-4772(pISSN)
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- 2288-4165(eISSN)
A Study on the Structure of Polarization Independent GaInAs/GaInAsP/InP Semiconductor Optical Amplifier
편광 비의존성 GaInAs/GaInAsP/InP 반도체 광 증폭기 구조에 관한 연구
- Park, Yoon-Ho ;
- Kang, Byung-Kwon ;
- Lee, Seok ;
- Cho, Yong-Sang ;
- Kim, Jeong-Ho ;
- Hwang, Sang-Ku ;
- Hong, Tchang-Hee
- 박윤호 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
- 강병권 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
- 이석 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
- 조용상 (연세대학교 전자공학과) ;
- 김정호 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
- 황상구 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
- 홍창희 (한국해양대학교 전자통신공학과)
- Published : 1999.09.01
Abstract
In this study, the gain characteristics of the strained structures for SOA were calculated numerically and the optimized strained quantum well for the polarization-insensitive SOA was obtained. The structures used in this calculation were consisted of one, two, and three GaAs Delta layers respectively in the GaInAs(160
본 논문에서는 편광 비의존 특성을 가지는 반도체 광 증폭기 개발을 위해 지금까지와는 다른 새로운 방법인 160(
Keywords