Synthesis of Diamond Thin Film by RF PACVD from $\textrm{H}_2$-$\textrm{CH}_4$ Mixed Gas

고주파 플라즈마 CVD에 의한 $\textrm{H}_2$-$\textrm{CH}_4$ 계로부터 다이아몬드 박막의 합성

Diamond film was deposited on Si wafer using $\textrm{H}_2$ and $\textrm{CH}_4$ mixed gas by RF PACVD. Prior to deposition, mechanical scratching was done to improve density of nucleation sites with diamond paste of $1\mu\textrm{m}$ The microstructure of deposited film was studied at various methane concentrations. The deposited film was characterized by XRD(X-tay diffraction), SEM(Scanning Electron Microscopy) and Raman Spectroscopy The deposited diamond film showed that the crystallite was increased at the lower methane concentration.

다이아몬드 박막은 RF PACVD법에 의해 수소와 메탄으로부터 실리콘 웨이퍼 상에 성장되어졌다. 박막 성장 전에 표면의 핵생성 밀도를 증가시키기 위하여 1㎛의 다이아몬드 페이스트로 기계적 흡집을 내어 사용하였다. 메탄 농도를 변화시켜 제작한 박막에 대한 평가는 XRD, SEM 및 Raman Spectroscopy에 의해 이루어졌다. 성장된 박막의 결정성은 메탄 농도가 낮을수록 증가되었다.