마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제6권1호
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- Pages.75-79
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- 1999
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
염소 플라즈마를 이용한 알루미늄 식각 공정이 저유전상수 층간절연막 polyimide에 미치는 영향
Effect of the Cl-based Plasma for Al Etching on the Interlayer Low Dielectric Polyimide
초록
차세대 저유전상수 층간 절연막중 하나로 대두되고 있는 polyimide를 플라즈마에 노출시키고 이때 나타나는 전기적 특성변화를 살펴보았다. polyimide를 알루미늄 식각시 사용되고 있는 Cl-based 플라즈마에 노출시켰을때 유전상수가 약간 증가함을 볼 수 있었고, F-based 플라즈마로
We have studied electrical properties of polyimide for the next generation interlayer low dielectric during plasma etching. Dielectric constant of polyimide exposed to Cl-based plasma, which is used in aluminum etching, increased, while that of polyimide exposed to
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