Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C (전자공학회논문지C)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

(AlGaAs/GaAs HBT IC Chipset for 10Gbit/s Optical Receiver)

10Gbit/s 광수신기용 AlGaAs/GaAs HBT IC 칩 셋

  • 송재호 (정회원, 한국전자통신연구원 광통신연구부) ;
  • 유태환 (정회원, 한국전자통신연구원 광통신연구부) ;
  • 박창수 (정회원, 한국전자통신연구원) ;
  • 곽봉신 (정회원, (주)삼성전자)
  • Published : 1999.04.01
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Abstract

A pre amplifier, a limiting amplifier, and a decision IC chipset for 10Gbit/s optical receiver was implemented with AIGaAs/GaAs HBT(Heterojunction Bipolar Transistor) technology. The HBT allows a cutoff frequency of 55GHz and a maximum oscillation of 45GHz. An optical receiver front-end was implemented with the fabricated pre amplifier IC and a PIN photodiode. It showed 46dB$\Omega$, gain and $f_{3db}$ of 12.3GHz. The limiting amplifier Ie showed 27dB small signal gain, $f_{3db}$ of 1O.6GHz, and the output is limited to 900mVp-p from 20mVp-p input voltage. The decision circuit IC showed 300-degree phase margin and input voltage sensitivity of 47mVp-p at 1OGbit/s.

10Gbit/s 광수신기에 사용되는 전치증폭기, 리미팅증폭기, 그리고 판별회로 IC 등을 AlGaAs/GaAs HBT 기술을 이용하여 설계 제작하였다. 사용한 HBT는 차단주파수 55GHz, 최대 공진 주파수 45GHz 의 특성을 지닌다. 제작된 전치증폭기 와 PIN 광검출기를 이용해 광수신기 front-end를 구성하였는데, 측정된 이득은 46dBΩ, 3dB 대역폭은 12.3GHz 의 특성을 보였다. 리미팅증폭기는 소신호 이득 27dB, 3dB 대역폭 10.6GHz 특성을 보였으며, 입력 신호 전압 20mVp-p 이상에서 리미팅 동작이 이루어져 900mVp-p 신호를 출력하였다. 판별회로는 10Gbit/s에서 위상마진 300°, 입력 전압 수신감도 47mVp-p의 특성을 보였다.

Keywords