Abstract
The purpose of this research was to investigate the characteristics and the cleaning efficiency on HN(sub)4OH solutions added with H(sub)2O(sub)2 and surfactants. NH(sub)4OH solutions added with surfactants did not show much changes in pH and redox potential (Eh) as a function of NH(sub)4OH concentration compared with NH(sub)4OH solution. However H(sub)2O(sub)2 added NH\ulcornerOH solutions showed the decrease of pH and the increase of Eh as the concentration of NH(sub)4OH increased. The decrease of surface tension from 72 dynes/cm to 38 dynes/cm was observed in solutions added with surfactant but not in H(sub)2O(sub)2. The etch rates of silicon in NH(sub)4OH solutions(NH(sub)4OH:H(sub)2O= 1 : 5) showed at least 50 times higher than those in H(sub)2O(sub)2 and surfactant added NH(sub)4OH solutions(NH(sub)4OH:H(sub)2O(sub)2= 1 : 1 : 5) solution removed the PSL particles (0.67$\mu\textrm{m}$ in diameter) on Si wafers effectively at all temperatures investigated. NH(sub)4OH solution added with a surfactant could not remove particles at room temperature, however it was possible to remove particles at higher temperatures, 5$0^{\circ}C$ and 8$0^{\circ}C$.
본 연구에서는 NH(sub)4OH에 계면 활성제를 첨가한 세정액의 특성 및 세정 효과를 H(sub)2O(sub)2가 첨가된 NH(sub)4OH 세정액과 비교 연구하였다. NH(sub)4OH에 계면 활성제를 첨가한 경우 용액의 pH 및 산화 환원전위(Eh) 는 NH(sub)4OH의 값과 거의 유사하고 H(sub)2O(sub)2를 첨가한 경우에 pH는 감소하고 Eh는 증가하는 경향을 보였다. 표면장력은 계면 활성제를 첨가한 경우 약 72 dynes/cm에서 약 38dynes/cm로 감소하였으나 H(sub)2O(sub)2를 첨가한 경우에는 NH\ulcornerOH 용액과 비교 거의 변화가 없었다. 실리콘 웨이퍼의 식각 속도를 측정한 결과 H(sub)2O(sub)2나 계면 활성제를 첨가하지 않은 초순수와 1 : 5(NH(sub)4OH : H(sub)2O(sub)2)의 부피비의 NH(sub)4OH용액이 첨가한 용액에 비해 최소 50배 이상의 높은 식각 속도를 보였다. 파티클 제거 실험에서 H(sub)2O(sub)2가 첨가된 NH(sub)4OH 세정액은 실험에 사용한 실리콘 표면위의 직경 0.67$\mu\textrm{m}$의 PSL파티클을 세정액의 온도와 무관하게 잘 제거하였으나 계면 활성제를 첨가한 NH\ulcornerOH경우에 상온에서는 파티클을 제거할 수 없었으나 온도를 5$0^{\circ}C$와 8$0^{\circ}C$로 증가시킨 경우 H(sub)2O(sub)2가 첨가된 NH(sub)4OH와 유사한 세정 효과를 나타내었다.
